| 主权项 |
1﹒一种互补绝缘体矽膜型(SOI)横向绝缘闸整流器(LIGR),其特征为:一实质上绝缘之基质具有一主要表面;一单晶性矽层位于上述主要表面上,而所述层包含多个相邻共平面,而被掺杂之层部份;一第一层部份,此部份同时具有一第一及一第二,相反导电型之区域,并形成前述互补LIGR之一吸极区域:一上述第一导电型之第二层部份,与前述第一层部份接触,并且构成前述互补LIGR之一第一漂移区域;一上述第二导电型之第三层部份,与前述第二层部份接触,并且构成前述互补LIGR之一第一通道区域;一第四层部份,同时具有上述第一及第二导电型之区域,与前述第三层部份接触,并且形成前述互补LIGR之一共用源极区域;一上述第一导电型之第五层部份,与前述第四层部份接触,并且构成前述互补LIGR之一第二通道区域:一上述第二导电型之第六层部份,与前述第五层部份接触,并且构成前述互补LIGR之一第二通道区域;一第七层部份,同时具上述第一及第二导电型之区域 ,与前述第六层部份接触,并且形成前述互补LIGR之一第二吸极区域;一第二通道区域;一绝缘层,位于上述单晶性矽层之诸部份上,并且至少覆盖住前述第三及第五层部份。第一及第二闸电极,位于上述绝缘层上,并且分别在上述第三及第五层部份上方;一源极电极被连接至上述第四层部份;以及第一及第二吸极电极被分别连接至上述第一及第七层部份。2﹒根楼上述申请专利范围第1项所述之互补SOI LIGR,其中上述第一层部份至少包含一上述第一导电型之区域,而在此区域之两边为上述第二导电型之区域,前述第一层部份区域之每一区域均以横向伸展,以与上述第二层部份接触;前述之第七层部份之至少包含一上述第二导电型之区域,而在此区域之两边则为上述第一导电型之区域,前述第七层部份区域之每一区域均以横向伸展,以与上述第六层部份接触;以及上述第四层部份至少包含一上述第一导电型之区域以及一上述第二导电型之区域,而上述第四层部份区域之每一区域均自上述第三层部份横向伸展至上述第五层部份。图示简单说明:图1系根据本发明之一SOI LIGR之一横断面图。图2.3及4则分别为沿着图1之断面线线Ⅱ-Ⅱ、Ⅲ-Ⅲ及Ⅳ-Ⅳ所取之图1中装置之部份之平面图。 |
