发明名称 GAAS-EINKRISTALL, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND DEN EINKRISTALL VERWENDENDES HALBLEITERBAUELEMENT.
摘要
申请公布号 DE3575242(D1) 申请公布日期 1990.02.08
申请号 DE19853575242 申请日期 1985.10.01
申请人 HITACHI, LTD., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 FUJISAKI, YOSHIHISA, SETAGAYA-KU TOKYO, JP;TAKANO, YUKIO, MUSASHIMURAYAMA-SHI TOKYO, JP;ISHIBA, TSUTOMU, KODAIRA-SHI TOKYO, JP
分类号 H01L29/812;C30B15/00;H01L21/20;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/32;H01L29/80;H01L47/00 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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