发明名称 一触媒载体材料及制造此一载体材料的方法
摘要 本发明系关于一种主要由氧化铝可能联合有不同金属氧化物所组成之载体材料且该载体材料表面施用有周期表第3或第4副族金属离子化合物,其施用状态如此均匀因而于1000℃处理6小时后载体材料于X-射线绕射花纹中不会出现绕射畸峰且其半值宽度小于 1.0弧度(由双重绕射角测定);本发明也关于载体材料之制法。
申请公布号 TW134534 申请公布日期 1990.05.21
申请号 TW078100705 申请日期 1989.02.01
申请人 密恩安吉尔哈德公司 发明人 艾渥I.M.第伯格;约翰W.軥斯
分类号 B01J32/00 主分类号 B01J32/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 l.一种载体材料,此种材料主要系由铝氧化物且可能连同不同之金属氧化物所组成且于其表面上已经施用一种金属离子化合物,该化合物之金属与该(等)金属氧化物之金属不同,该载体材料之特征为周期表第3 或第4 副施之一金属离子的化合物已施用于该(等)金属氧化物之表面上且施用得相当均匀因此于1000℃处理6 小时后载体材料于X 一射线绕射花纹中并未出现绕射畸峰而具有半値宽度小于1.0弧度(于双重绕射角上测定)。2.依据申请专利范围第l.项之载体材料,其中于将触媒活性元素,触媒活性化合物或其先质施用于该载体材料上,按着于一氧化性气体中于1000℃加热处理24小时后该载体材料之绕射花纹将不具有可从元素,金属化合物或先质与Al2O3所生成之金属铝酸盐之任何可辨别之畸峰。3.依据申请专利范围第2.项之载体材料,其中当铜或铜化合物施用于载体材料上接着于氧化性气体中于1000℃加热24小时后载体材料之绕射花纹并未颗示任何可辨认之铝酸铜之畸峰。4.依据申请专利范围第1.项之载体材料,其中仅使用Al2O3 。5.依据申请专利范围第l.项之载体材料,其中以金属氧化物计算至少存在有0.1﹪重量比之第3 或第4 副族之金属离子化合物。6.依据申请专利范围第5.项之载体材料,其中以氧化物计算存在有不超过25﹪重量比之第3 或第4 副族之金属离子化合物。7.依据申请专利范围第1.项之载体材料,其中第3 或第4 族之金属系选自La,镧系元素,Zr及其组合中之任一者。8.一种制备如申请专利范围第1.项之载体材料之方法,该方法之特点为经由于其可能连同不同之金属氧化物的氧化铝表面上均匀施用元素周期表第3 或第4 副族之金属离子化合物且其施用方式使得于1000℃处理6 小时后找体材料于X 一射线绕射花纹中并未见有绕射畸蜂且其半値宽度少于1.0弧度者(于双重绕射角上测定 )。9.依据申请专利范围第8.项之之方法,其中该化合物均匀施用之方式使得当触媒活性元素,触媒活性化合物或其先质被施用于载体材料按着于1000℃于氧化性气体中加热处理24小时后该找体材料之绕射花纹并未具有任何可从元素,金属化合物或先质与Al2o3所生成之可辨认之金属铝酸盐线条。10.依据申请专利范围第8.或第9.项之方法,其特点为佳好于恒定之pH下使用有机错合剂将金属离子错合物吸附至载体材料上,乾燥该载体材料且缎绕之。11.依据申请专利范围第10.项之方法,其特点为使用EDTA,EGTA,柠檬酸盐或草酸盐错合物。12.依据申请专利范围第8.或第9.项之方法,其特点为经由均质沈积沈淀法而施用该化合物。13.依据申请专利范围第8.项之方法,其特点为重覆施用该金属离子化合物一次或数次。14.依据申请专利范围第10.项之方法,其中该金属系选自镧,镧系元素,锆及钛之中之任一者。
地址 荷兰