| 主权项 |
1﹒一种在陶瓷基底上形成导电元件的方法,所包括步骤为:提供一种具有金属成分的非导电基底,该金属成分当施加雷射能时,可分离成为其组成各成分以提供结合于陶瓷基底的分离金属:以及施加雷射能于预先决定的该非导电陶瓷基底表面的预定区域以在各该定区域内造成分离金属导体。2﹒如申请专利范围第1项的方法,其中提供金属非导电陶瓷基底的步骤包括提供一种氮化铝陶瓷基底的步骤。3﹒如申请专利范围第1项的方法,其中的施加雷射能的步骤包括施加YAG雷射所提供雷射能的步骤。4﹒如申请专利范围第1项的方法,其中施加雷射能的步骤包括施加二氧化碳雷射所提供雷射能的步骤。5﹒如申请专利范围第1项的方法,其中施加雷射能的步骤包括施加雷射能于该基底以在陶瓷基底内形成一通孔,因而于通孔内表面形成分离金属。6﹒一种于陶瓷基底上形成导电元件的方法,所包括步骤为:提供一种具有金属成分的非导电陶瓷基底当施加雷射能时该金属成分可分离成为其组成各成分以提供结合于陶瓷基底的分离金属;于该导电陶瓷基底表面上形成至少两个导电金属化区域;于该非导电基底表面上所述二导电金属化区域间形成一厚膜或薄电阻器;以及以预定图形(模式)施加雷射能于厚模式薄膜电阻器的一部分及金属非导电陶瓷基底的一部分以提供一连续之分离金属导体,此导体通过该厚膜或薄膜电阻器并且电连于该两个个电金属化区域之一。7﹒如申请专利范围第6项的方法,其中提供金属非导电陶瓷基底的步骤包括提供一种氮化铝陶瓷基底的步骤。8﹒如申请专利范围第6项的方法,其中施加雷射能的步骤包括施加YAO雷射所提供雷射能的步骤。9﹒如申请专利范围第6项的方法,其中施加雷射能的步骤包括施加二氧化碳雷射所提供雷射能的步骤。10﹒如申请专利范围第6项的方法,其中所述预定图型包括一种通过延伸至厚膜或薄膜电阻器以外的线性部分,另外包括自此线性部分二端延伸至该二导电金属化区域之一的线性部分。11﹒一种于混合微电路的非导电基底或绝缘层面上或通过该非导电基底或绝缘层形成导电金属化层的方法,该方法所包括步骤为:提供一种具有金属成分的非导电基底或绝缘层,当施加雷射能时该金属成分分离成为其组成各成分,该金属成分再结合于该基底或绝缘层;施加雷射能于该基底或绝缘层表面的预定区域以自该基底或绝缘层分离该金属成分;以及自该预定区域撤去雷射能以容许该金属成分再结合于该基底或绝缘层的表面,该再结合之金属成分于该表面形成导电金属化层。12﹒如申请专利范围第11项的方法,另外包括的步骤为:在该基底表面,所述导电金属化的预定区域之间形成一种厚膜或薄膜电阻器:以及于该电阻器下面的该基底或绝缘层表面施加该雷射能并自该基底或绝后表面除去,以使其一部分短路而治减少其电阻値。13﹒在混合微电路的非导电基底或绝缘层上面或通过非导电基底或绝种层形成导电金属化层的方法,该方法包括的步骤为:提供一具有金属成分的非导电基底或绝缘层,当施加雷射能时该金属成分分离成为其组成各成分,当将雷射能撤除时,该金属化成分再结合于该基底或绝缘层;以及分离该基底或绝缘层的各预定部分以在其上或通过其中提供分离金属导体所成之导电金属化层。图示简单说明图1是依照本发明方法所制导电结构略图。图2是依照本发明方法所制导电结构略图,此结构可修整电阻器以减低其电阻値。图3是依照本发明方法所制金属被覆之通孔略图。 |
