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증가형 GaN 트랜지스터 및 그 형성 방법. 증가형 GaN 트랜지스터는, 기판, 천이층, Ⅲ 나이트라이드 물질로 구성된 완충층, Ⅲ 나이트라이드 물질로 구성된 장벽층, 드레인 콘택 및 소스 콘택, 억셉터형 도펀트 원소를 함유한 게이트 Ⅲ-V 화합물, 및 게이트 금속을 포함하고, 상기 게이트 Ⅲ-V 화합물과 게이트 금속은, 단일의 포토마스크 공정으로 형성되어 자기정합되고, 상기 게이트 금속의 하측부와 상기 게이트 화합물의 상측부는 동일한 치수를 갖는다. 또한, 증가형 GaN 트랜지스터는, 오믹(ohmic) 금속으로 형성된 필드 플레이트를 가질 수 있고, 드레인 오믹 금속, 소스 오믹 금속, 필드 플레이트는 단일의 포토마스크 공정에 의해 형성된다. |
