| 主权项 |
1.一种用以产生共聚光学辐射之方法,其包括:(a)由包含于光学谐振腔内的雷射发生材料产生第一种频率W1之共聚光学辐射;(b)由选自包括雷射二极体、雷射二极体阵列及二极体抽运之固体雷射作为光源产生第二种频率W2之共聚光学辐射;(c)将该第二种频率辐射引入该光学谐振腔内;及(d)将该第一种频率辐射及该第二种频率辐射与包含于光学谐振腔内的非线性光学材料交互作用以产生第三种频率W3才共聚光学辐射。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中W3=W1+W,。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中W3为W1与W2间之差。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一种频率辐射系由光学方式抽运固体雷射发生材料而产生。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该雷射发生材料系由选自包括雷射二极体、发光二极体及雷射二极体阵列其中至少一种光学抽运装置所光学抽运。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中该雷射发生材料系选自包括掺杂铷之YAG,掺杂铷之YALO及掺杂铷之YLF 。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二种频率辐射系由选自包括雷射二极体及雷射二极体阵列光源其中之一所产生。8.根据申请专利范围第7项之方法,此方法额外包括以调节及控制该第二种频率辐射光源之温度的方式来詷节及控制该频率W2。9.根据申请专利范围第7项之方法,此方法额外包括以调节该第二种频率之辐射以达成该第三种频率辐射之调整。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二种频率之辐射系由二极体抽运、频率加倍之固体雷射所产生。11.根据申请专利范围第1l项之方法,此方法额外包括调节及控制该第一种频率辐射之偏极性及该第二种频率辐射之偏极性以产生最佳之该第三种频率辐射。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该非线性光学材料包含磷酸钛氧鉧。13.一种供产生共聚光学辆射之方法,其包括:(a)由选自包括雷射二极体、发光二极体及雷射二极体阵列之光源产生光学抽运辐射;(b)以该光学抽运辐射来光学抽运一固体雷射发生材料以产生第一极频率W1共聚光学辐射,其中该图体雷射发生材料保包含于光学谐振腔内;(c)产生第二极频率W2之共聚光学辐射;(d)将该第二极频率辐射引入该光学谐振控内;及(e)将该第一种频率碗射及该第二种频率辐射与包含于光学谐振腔内之非线性光学材料交互作用以产生开三种频率W3之共聚光学辐射。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中W3=W1十W215.根据申请专利范围第13项之方法,其中W3为W1与W2间之差。16.根据申请专利范围第13项之方法,其中,该雷射发生材料系选自包括掺杂铷之YAG,,掺杂铷之YALO及掺杂铷之YCF。17.根据申请专利范围第13项之方法,此方法额外包活调节及控制该第一种频率辐射之偏极性及该第二种频率辐射之偏极性以产生最佳之该第三种频率辐射。18.根据申请专利范围第13项之方法,其中该非线性光学材料句合磷酸钛氧钾。19.一极供产生共聚光学辐射之装置,其包括:(a)在光学谐振腔内产生第一种频率W1之共聚光学辐射的装置;(b)产生第二种频率W2共聚光学辐射的装置,此装置位于该光学谐振腔之外侧且系选自包括雷射二极体、雷射二极体阵列及二极体抽运之固体雷射;(c)将该第二极辐射引入该光学谐振腔内之装置;(d)在该光学谐振腔内之非线性光学装置,此装置置于此处系用于使该第一种频率辐射及第二种频率辐射交互作用以产生第三种频率W3之共聚光学辐射。20.根据申请专利范围第19项之装置,其中W3=1。+W2。21.根据申请专利范围第19项之装置,其中W3为W1与W2间之差。22.根据申请专利范围第19项之装置,其中该产生第一种频率之共聚光学辐射的装置包括可被选自包括雷射二极体、发光二极体及雷射二极体阵列当中至少一种装置之光学抽运装置所光学抽运之固体雷射发生材料。23.根据申请专利范围第22项之装置,其中该雷射发生材料系选自包括掺杂铷之YAG,掺杂铷之YAG及掺杂铷之YLF。24.根据申请专利范围第19项之装置,其中产生第二种频率辐射之该装置系选自包括雷射二极体及雷射二极体阵列。25.根据申请专利范围第24项之装置,此装置额外包括调节及控制该产生第二种频率辐射装置之温度的温度控制装置。26.根据申请专利范围第19项之装置,其中产生第二种频率之该装置为二极体抽运、频率加倍的固体雷射。27.根据申请专利范围第19项之装置,此装置额外包活调节及控制该第--极频率辐射之偏极性及该第二种频率辐射之偏极性的装置。28.根据申请专利范围第19项之装置,其才该非线性光学装置系由磷酸钛氧钾组成。29.一种用以产生共聚光学辐射之装置,其包括:(a)产生光学抽运辐射之光学抽运装置,此装置系选自包括雷射二极体、发光二极体及雷射二极体阵列;(b)包含于光学谐振熔内之固体雷射发生材料,此材料置于此处乃用以接收由该光学抽运装置所发出之抽运辐射,且由抽运辐射之抽运时可以产生第一种频率W1之共聚光学辐射;(c)产生第二种频率W2共聚光学轴射之装置,此装置位于该光学谐振腔之外侧;(d)将该第二种频率辐射引入该光学谐振腔内之装置;(e)在该光学谐振腔内之非线性光学装置,此装置置于此处乃用以使该第一种频率辐射及该第二种频率辐射起交互作用以产生第三种频率W3共聚光学辐射。30.根据申请专利范围第29项之装置,其中以W3=W1+W1。31.根据申请专利范围第29项之装置,其中W3为W1与W2间之差。32.根据申请专利范围第29项之装置,其中该雷射发生材料系选自包括掺杂铷之YAG,掺杂铷之YALO及掺杂铷之YLF。33.根据申请专利范围第29项之装置,此装置额外包括调节及控制该第一种频率辐射之偏极性及该第二种频率辐射之偏极性的装置。34.根据申请专利范围第29项之装置,其中该非线性光学装置系由磷酸钛氧钾组成。图示简单说明:图1为本发明一项具体实施例之图示。图2为本发明第二项具体实施例之图示。图3为本发明第三项具体实施例之图示。图4为本发明第四项具体实施例之图示。 |
