| 摘要 |
리던던시 메모리 셀을 구비하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 노멀 셀들이 구비된 노멀 영역; 상기 노멀 셀들 중 리페어 대상 셀들과 대체된 제 1 리던던시 셀들과, 상기 리페어 대상 셀들과 대체되지 않은 제 2 리던던시 셀들이 구비된 리던던시 영역; 상기 제 1 및 제 2 리던던시 셀들이 리페어 대상 셀들과 대체되었는지를 알려주는 대체 정보와, 상기 제 2 리던던시 셀들이 사용 가능한지 불가능한지를 알려주는 상태 정보 혹은 상기 리페어 대상 셀들의 리페어 어드레스를 리페어 정보로 프로그램하는 퓨즈부; 상기 퓨즈부에 프로그램된 리페어 정보를 출력하는 부트업 동작을 수행하고, 테스트 제어 신호에 응답하여 상기 리페어 정보를 재설정한 후, 재설정된 리페어 정보를 출력하는 리부트업 동작을 수행하는 부트업 제어부; 상기 부트업 동작 시 출력되는 상기 대체 정보와 상기 상태 정보에 응답하여 상기 테스트 제어 신호를 생성하는 정보 업데이트부; 리던던시 테스트 동작 시, 상기 리부트업 동작 시 출력되는 상기 재설정된 리페어 정보를 토대로 테스트 어드레스를 생성하는 테스트 제어부; 및 상기 테스트 어드레스에 응답하여 상기 제 2 리던던시 셀들을 선택적으로 테스트하는 테스트부를 구비하는 반도체 메모리 장치가 제공된다. |
