| 主权项 |
1.一种成形氧化膜之方法,包含以下步骤:沉积氧化膜于一表面上,并将之在包含氧化气体及惰性气体且体积比率(该氧化气体)/(该惰性气体)为1.0或以上之大气中以喷镀法喷镀靶而加以涂层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化气体包含氧、臭氧、或一氧化二氮。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化气体在该大气中之比例将近于100%。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该表面包含有由下述族群中所选出一材质:玻璃、导体、半导体与塑胶。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该靶包含有一含矽材质。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该氧化物介电膜为二氧化矽。7.一种成形氧化膜之方法包含步骤为:沉积氧化膜于一表面,并将之在包含有氧化气体之气中以喷镀法喷镀靶而加以涂层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氧化气体包含氧、臭氧、或一氧化二氮。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该沉积步骤系在不超过300度C之温度进行10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该大气系100%氧化气体大气。11.一种形成场效电晶体之方法,该场效电晶体包括一含有通道,源极与汲极区的半导体层,及一紧邻于通道区的闸绝缘层,该闸绝缘层包含有氧化物材质,其中该闸绝缘层是在包含氧化气体及惰性气体且体积比率(该气化气体)/(该惰性气体)为1.0或以上之大气中以喷镀法形成者。12.如申请专利范围第11项所述之方法,尤包含以雷射照射来退火该闸氧化膜之步骤。13.如申请专利范围第11项所述之方法,尤包含以脉冲雷射照射来退火该闸氧化膜之步骤。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该电晶体系成形于玻璃基板上。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该沉积步骤系在不超过300度C之温度进行。16.一种形成场效电晶体之方法,该场效电晶体包含有一含源极与汲极区的半导体层,一通道区形成于其间,以及一紧邻于通道区的闸绝缘层,该闸绝缘层包含有氧化物材质,其中该闸绝缘层是在基本上由氧化气体组成之大气中以喷镀法形成者。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该氧化气体包含氧气、臭氧、或一氧化二氮。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该沉积步骤步系在不超过300度C之温度进行。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该氧化物材质为二氧化矽。20.一种成形氧化介电膜之方法,包含以下步骤:沉积氧化介电膜于表面上,并将之在包含氧化气体,惰性气体和含卤素气体且体积比率(该氧化气体+该含卤素气体)/(该惰性气体)为1.0或以上之大气中以喷镀法喷镀靶而加以涂层。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该氧化气体包含氧、臭氧、或一氧化二氮。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该氧化气体在该大气中之比例将近100%。23.如申请专利范围第20项所述之方法其中该表面包含有由下述族群中所选出之一材质:玻璃、塑胶、导体与半导体。24.如申请专利范围第20项所述之方法其中该靶包含有一含矽材质。25.如申请专利范围第24项所述之方法其中该氧化介电层为二氧化矽。26.如申请专利范围第20项所述之方法其中该沉积步骤系在不超过300度C之温度进行。27.如申请专利范围第20项所述之方法其中该沉积步骤系在体积比率(该含卤素气体)/(该氧化气体)为0.2或以下进行。28.如申请专利范围第20项所述之方法其中该含卤素气体包含NF3.N2F4.HF、F2.fleon、CCI4.CI2.或HCI。29.一种成形氧化介电膜之方法包含步骤:沉积氧化介电膜于表面,并将之在基本包含氧化气体及含卤素气体之大气中以喷镀法喷镀靶而加以涂层。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中该氧化气体包含氧、臭氧、或一氧化二氮。31.如申请专利范围第29项所述之方法其中该表面系由玻璃、塑胶、导体或半导体所制成之一基底表面。32.如申请专利范围第29项所述之方法其中该含卤素气体相对于该氧化气体之体积比率在20%或以下。33.如申请专利范围第29项所述之方法其中该靶包含有一含矽材质。34.如申请专利范围第29项所述之方法其中该氧化介电膜为二氧化矽。35.如申请专利范围第29项所述之方法其中该含卤素气体包含NF3.N2F4.HF、F2.fleon、CCI4.CI2.或HCI。36.如申请专利范围第29项所述之方法其中该沉积步骤系在不超过300度C之温度进行。37.一种成形场效电晶电体之方法,该场效电晶体包含有一含源极与汲极区的半导体层,一通道区形成于其间,以汲一紧邻于通道区的闸绝缘层,该闸绝缘层包含有氧化物材质,其中该闸绝缘层是在包含氧化气体,惰性气体及含卤素气体且体积比率(该氧化气体+该含卤素气体)/(该惰性气体)为1.0或更多之大气中以喷镀法形成者。38.如申请专利范围第37项所述之方法尤包含以雷射照射退火该闸氧化膜。39.如申请专利范围第37项所述之方法尤包含以脉冲雷射照射退火该闸氧化膜。40.如申请专利范围第37项所述之方法其中该半导体系形成于玻璃基板上。41.如申请专利范围第37项所述之方法其中该沉积步骤在容量比率(该含卤素气体)/(该氧化气体)为0.2或以下进行。42.如申请专利范围第37项所述之方法其中该含卤素气体包含NF3.N2F4.HF、F2.fleon、CCI4.CI2.或HCI。43.如申请专利范围第17项所述之方法其中该沉积步骤在不超过300度C之温度进行。44.一种成形场效电晶体之方法,该场效电晶体包含有一含源极与汲极区的半导体层,一通道区形成于其间,以及一紧邻于通道区的闸绝缘层,该闸绝缘层包含有氧化物材质,其中该闸绝缘层是在基本上包含氧化气体,惰性气体及含卤素气体且体积比率(该氧化气体+该含卤素气体)/(该惰性气体)为1.0或以上之大气中以喷镀法形成者。45.如申请专利范围第44项所述之方法,其中该闸绝缘层为二氧化矽。46.如申请专利范围第44项所述之方法尤包含以雷射照射退火该闸氧化膜之步骤。47.如申请专利范围第44项所述之方法尤包含以脉冲雷射照射退火该闸氧化膜之步骤。48.如申请专利范围第44项所述之方法其中该表面系玻璃基板表面。49.如申请专利范围第44项所述之方法其中该沉积步骤在容量比率(该含卤素气体)/(该氧化气体)为0.2或以下进行。50.如申请专利范围第44项所述之方法其中该含卤素气体包含NF3.N2F4.NF、F2.fleon、CCI4.CI2.或HCI。51.如申请专利范围第44项所述之方法其中该沉积步骤系 |
