| 主权项 |
1.用来处理至少其一部份为流体管道的清洁之金属组件的助熔剂涂覆物溶液,能于该组件表面形成一耐久的、不黏的保护性助熔剂膜,使属该组件梢后能和一嵌合的金属组件防漏地组合起来且于组合后不需再滑理及再施敷助熔剂于该组件上,该熔液本质上包括:松香;及一高挥发性有机溶剂,包含1,1,1三氟乙烷:该溶液敔设计成能在涂覆于组件表面上后,迅速地风乾,而于组件表面上留下一非常薄、不黏的保护性助熔剂膜;及该保护性助熔剂膜沈积在组件上后,其在贮藏一段长时间,处理、组合、塑形、成形及其他方式操作后,都不会使属该膜自组件表面脱离,且不会降低该膜的保护及助熔特性。2.依据申请专利范翳第1项所述之助熔剂涂覆物熔液,其中:该助熔剂涂覆物溶液敔设计成当涂覆于组件表面时,能在一般条件状况下于一分钟内风乾。3.依据申请专利范围第1项所述之助熔剂涂覆物熔液,其中:该劬熔剂涂覆物溶液适于在组件表面上窗下一薄于0.001英寸的保护性助熔剂膜。4.依据申请专利范围第1项所述的助熔剂涂覆物溶液,其中:该助熔剂涂覆物溶液适于在组件表面上留下一透明的保护性助熔剂膜。5.依据申请专利范围第1项所逖的助熔剂涂覆物溶液,其中:该助熔剂涂覆物溶液可形成一可鞍贮藏数月及数年且不会降低其保护及助熔特性之非常薄之保护性助熔剂膜。6.依据申请专利范围第1项所述的助熔剂涂覆物熔液,其中:该助熔剂涂覆物溶液适于在组件表面上留下一非常薄的保护性助熔剂膜,该膜能暴露于湿气中一段长的期间,而不会自组件表面脱馊,而且该膜的助熔特性只有小量的降低。7.依据申请专利范围第1项所述的助熔剂涂覆物溶液,其中:该助熔剂涂覆物溶涤能于组件表面留下一非常薄的保护性助熔剂膜,该膜于梢后和嵌合的组件作防漏地组合时,能大致上完全地蒸发掉。8.一制备至少一部份为流体管道的金属组件的方法,使属此组件梢后和相嵌合的金属组件做防漏地组合时,无需于其后再清理及施敷助熔剂于该金属组件上,此方法包括有下列步骤:提供一至少具有一部份为流体管道的金属组件;确定组件表面上没有任何污染物:施覆包括一助熔剂溶质及包含1,1,1三氯乙烷之一高挥发性溶剂的助熔剂涂覆物溶液至组件表面上;及在一般状况下风乾该涂覆物溶液,而于组件表面留下一薄的、不黏的保护性助熔剂膜,使属稍后该组件能和相嵌合的金属组件做防漏地组合,且无需于其后再清理及施敷助熔剂于该组件上;该助熔剂涂覆物溶液适于当施用于组件表面时,能在正常状况下迅速地于一分钟内风乾;及该非常薄的、不黏的保护性助熔剂膜当施用于该组件表面上时,能被处理、组合、弯曲、操作、包装、贮藏一段长时间、运输等,而不会自组件表面脱离,也不会降低该膜的保护、助熔特质。9.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该助熔剂涂覆物熔液本质上包括松香及一高挥发性有机溶剂。10.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该助熔剂涂覆物溶液以至少一浸泡一风乾循环方式施用于该组件上;及组件表面上该保护性助熔剂膜的厚度能经由控制助熔剂涂覆物溶液中助熔剂溶质浓度及控制该组件经过之漫泡一风乾循环的次数,而被精确地控制。11.依据申请专利范围第10项所述的方法,其中:该保护性助熔剂膜,当施用于组件表面时,被控制到拥有最大厚度0.001英寸。12.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该保护性助熔剂膜,当施用于组件表面上,是透明的。13.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该保护性助熔剂膜,当施用于组件表面上,能暴露于湿气中一段长时间,而不会自组件表面脱离,而该膜的助熔特性只有小量降低。14.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该组件由一包括铜的金属构成。15.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该被施用于组件表面的保护性助熔剂膜,在梢后和一相嵌口的组件做防漏地组合时,能大致上完全地蒸发。16.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该确定组件表面无污染物,施用助熔剂涂覆物溶液于组件表面,及风乾溶液的步骤,是以自动化方式施行。17.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该具有保护性助熔剂膜于其上的金属组件,能和其他具类似保护性助熔剂膜于其上的金属组件、其他具传统焊剂于其上的金属组件、及和其他未具焊剂而已被清理过的金属组件组合在一起。18.依据申请专利范围第8项所述的方法,其中:该具保护性助熔剂膜于其上的金属组件能和其他不具焊剂于其上且 |
