| 主权项 |
1. 一种在基材上形成陶瓷涂层的方法,此方法包含:以含有99.9-50.0重量%之相容性溶剂与0.1-50.0重量%之氢二矽三氧烷树脂的溶液涂覆该基材;将该溶剂蒸发以在该基材上沈积氢二矽三氧烷树脂之预陶瓷涂层;将该预陶瓷涂层暴露至含胺及水气的液态或气态环境中,就液态环境及气态环境而言,其温度分别为20-200℃及20-400℃,暴露时间达0.25至6.0小时,以催化此预陶瓷涂层转化作陶瓷涂层;及使催化的涂层置于20至400℃下一足够的时间(0.25至6.0小时)使该涂层顺利转化成陶瓷涂层。2.根据申请专利范围第 1 项之方法,其中溶剂系选自包括醇、芳香烃、烷、酮、酯、乙二醇醚或环状二甲基矽氧烷。3. 一种在基材上形成陶瓷涂层的方法,此方法包含:以含有99.9-50.0重量%之相容性溶剂与0.1-50.0重量%水解或部份水解的RXSi(OR)4-X的溶液涂覆该基材;式中R为1-20个碳原子的脂肪族、脂肪环或芳香族取代基,且X 为0-2 之整数;将该溶剂蒸发以在该基材上沉积水解或部份水解的 RXSi(OR)4-X 前陶瓷涂层;将该前陶瓷涂层暴露至含胺及水气的液态或气态环境中,就液态环境及气态环境而言,其温度分别为20-200℃及20-400℃,暴露时间达0.25至6.0小时,以催化前陶瓷涂层转化成陶瓷涂层;及使此催化前陶瓷涂层置于20至400℃下一足够的时间(0.25至6.0小时)使该前陶瓷涂层顺利转化成陶瓷涂层。4. 根据申请专利范围第3项的方法,其中溶剂系选自包括醇、芳香烃、烷、酮、酯、乙二醇醚或环状二甲基矽氧烷 |
