| 发明名称 | 在高阻衬底上形成的半导体器件和射频模块 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括高阻衬底，在高阻衬底中形成的、具有第一导电类型的第一深阱区，在第一深阱区上形成的、具有第二导电类型的第二深阱区，在第二深阱区上形成的、具有第一导电类型的第一阱区，以及在第一阱区上形成的晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN106257671A | 申请公布日期 | 2016.12.28 |
| 申请号 | CN201610436597.3 | 申请日期 | 2016.06.17 |
| 申请人 | 东部HITEK株式会社 | 发明人 | 赵勇洙 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人 | 余文娟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：高阻衬底；布置在所述高阻衬底内、具有第一导电类型的第一深阱区；布置在所述第一深阱区上、具有第二导电类型的第二深阱区；布置在所述第二深阱区上、具有所述第一导电类型的第一阱区；以及布置在所述第一阱区上的晶体管。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市江南区德黑兰路432 | ||