发明名称 提高半导体气敏元件灵敏度的方法
摘要 一种提高半导体气敏元件灵敏度的方法。该方法用两种不同导电类型的气敏材料构成P-N型或N-P型的整体气敏元件,特征是这两种气敏材料对待测气体均敏感,其电阻值R<SUB>N</SUB>、R<SUB>P</SUB>在清静空气中满足R<SUB>N</SUB>∴R<SUB>P</SUB>在检测气体浓度不太高时满足R<SUB>N</SUB>∴R<SUB>P</SUB>。根据本发明制作的元件,其灵敏度等于或大于构成它的N、P两种半导体敏感材料各自灵敏度的乘积,因而可实现检测气体的高灵敏度。同时还可实现选择性倍增,改善热稳定性和初期弛豫特性,增强抗环境湿度的能力。
申请公布号 CN1070283A 申请公布日期 1993.03.24
申请号 CN91108927.6 申请日期 1991.09.09
申请人 云南大学 发明人 吴兴惠
分类号 H01C7/00;G01N27/12;H01L49/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 云南省高校专利事务所 代理人 张晋
主权项 1、一种提高半导体气敏元件灵敏度的方法。该方法用两种不同导电类型的气敏材料构成N-P型或P-N型的整体气敏元件,其特征在于这两种气敏材料对待测气体均敏感,其电阻值RN、RP在清静空气中满足RN》RP,在检测气体浓度不太高时满足R′N》R′P(或R′N>R′P)。
地址 650091云南省昆明市翠湖北路52号