SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT

摘要

본 발명은 기판과, 상기 기판 상의 초기층과, 상기 초기층 상의 질화물계 반도체를 포함하고, 탄소를 포함하는 고저항층과, 상기 고저항층 상의 질화물계 반도체를 포함하는 채널층을 갖는 반도체 기판의 제조 방법으로서, 상기 고저항층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 반도체 기판을 가열하는 설정 온도에 구배를 갖게 하고, 고저항층 형성 개시 시의 상기 설정 온도와 고저항층 형성 종료 시의 상기 설정 온도가 상이하도록 하여 상기 고저항층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조 방법이다. 이에 의해, 고저항층 중의 탄소 농도의 농도 구배를 저감할 수 있음과 함께 탄소 농도를 원하는 값으로 할 수 있는 반도체 기판의 제조 방법이 제공된다.