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1﹒一种以烯烃将链烷类烷基化之方法,系于存在一种含以五氟化锑处理过的酸洗矽石之供链烷烃烷基化作用之固体微粒触媒组合物之反应器中进行,包括先使该触媒接触链烷,送该触媒一链烷混合物料至反应器,供应烯烃至该反应器与该触媒─链烷混合物接触生成烷基化产物,移动该触媒─链烷─烷化物混合物经过该反应器离开烯烃进料点以限制触媒─链烷─烷化物混合与烯烃进料多加接触,其中该反应在至少部份液相内进行,该触媒在该与丁烷中于该混合区内成浆,反应器内触媒对液体之体积比在约1:100至1:1范围内,且反应器内温度在─50℃至100℃范围内。3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中该烯烃包括丁烯及该链烷包括异丁烷。3﹒一种制造烷化物之方法,包含:(a)在混合区内混合一种含以五氟化锑处理过的酸洗矽石之供链烷烃烷基化作用之固体微粒触媒组合物与C4与C7异链烷进料流形成异链烷─触媒混合物;(b)送该异链烷─触媒混合物料至反应器进料区;(c)送C2至C5烯烃进料土该反应器近该进料区使该烯烃得以接触该异链烷─触媒混合物并使该烯烃与该况合物反应生成烷化物在反应混合物内;(d)以最少反向混合移动该反应混合物经过该反应器以限制该烷化物─触媒混合物进一步接触烯烃;(e)在分离区内自该触媒中分出烷化物流;及(f)循环此触媒至该混合区并在此处补充异链烷,其中该反应在至少部份液相内进行,该触媒在该异丁烷中于该混合区内成浆,反应器内触媒对液体之体积比在约1:100至1:1范围内,且反应器内温度在050℃至100℃范围内。4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中温度在─50℃至80℃范围内,反应器中压力足够保持该反应混合物于液相。5﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中补充超过反应的异链烷。6﹒一种自异丁烷以丁烯烷基化生产异辛烷的方法,包括:(a)在混合区内混合一种含以五氟化锑处理过的酸洗矽石之供链烷烃烷基化作用之固体微粒触媒组合物与液体异丁烷形成浆;(b)供应该浆至进料区靠进一直立反应器之顶处;(c)供应液体丁烯至该进料区从而使该丁烯与该异丁烷─触媒浆接触,该丁烯反应生成三甲基戊烷于反应混合物内;(d)移动该反应混合物向下通过该反应器以防止反向混合及该三甲基戊烷─触媒混合物与丁烯之进一步接触;(e)在分离区内自该触媒中分出该三甲基戊烷;及(f)循环此触媒至该混合区,在此添加补充异丁烷。7﹒一种自丁烯以异丁烯烷基化生产异辛烷的方法,包括:(a)在混合区内混合微粒固体触媒与液体异丁烷形成浆;(b)供应该浆于反应器底内进料区,该触媒在该反应器内向上提升;(c)供应液体丁烯至该进料区从而使该丁烯与该异丁烷─触媒浆接触,该丁烯与该异丁烷反应在反应混合物内生成三甲基戊烷向上移动脱离该进料区于是防止该三甲基戊烷─触媒浆与丁烯进一步接触;及(d)移动该反应混合物向上通过该反应区以防止反向混合及该三甲基戊烷─触媒混合物与丁烯之进一步接触;(e)在分离区内自该触媒中分出该三甲基戊烷;及(f)循环触媒与余留在该反应混合物内的异丁烷至该混合区,在此添加补充异丁烷,其中该反应在至少部份液相内进行,该触媒在该异丁烷中于该混合区内成浆,反应器内触媒对液体之体积比在约1:100至1:1范围内,且反应器内温度在─50℃至100℃范围内。8,根据申请专利范围第3项之方法,其中异链烷含异丁烷。9﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中异链烷含异戊烷。10﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中异链烷含异己烷。11﹒根据申请专利范围第8项之方法,其中该烯烃含丁烯。12﹒根据申请专利范围第8项之方法,其中该烯烃含丙烯。13﹒根据申请专利范围第8项之方法,其中该烯烃含成烯。14﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中触媒对烯烃之体积比在约5:1约15:1范围内。15﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中异链烷对烯烃之体积比系自约2:1至约1000:1。16﹒一种达成链烷以烯烃烷化的装置,包括(a)立式反应器以链烷制浆的烷化反应触媒供烯烃作烷化反尘,(b)洗涤/触媒补充容器供新鲜烷化反应的链烷洗涤触媒除去残留产物并使触媒成浆,流畅地连接至该立式反应器之下端,并有进口供链烷洗涤与触媒补充,(c)该立式反应器下端处有烯烃进口使烷化作用烯烃进入与该链烷成浆的触媒接触,(d)移动该浆状触媒通过该立式反应器之设备,(e)分离区流畅地连接至该立式反应器以接收与链烷相混的浆状触媒,其中烷化反应产物与该洗涤/触媒补充器畅通以接收其中链烷洗涤液并移动浆状触媒至该洗涤/触媒补充器供该立式反应器中的浆状触媒与链烷洗液接触并除去该链烷洗液中之残留烷化反应产物,及(f)取出该分离器中烷化反应产物的出口设备。17﹒根据申请专利范围第1.3.7或8项之方法,其中该触媒组合物再以含3至7个碳原子的链烷处理。18﹒根据申请专利范围第1﹒3﹒7或8项之方法,其中该触媒组合物之矽石有约5m2g至约250m2g之表面积。19﹒根据申请专利范围第17项之方法,其中该触媒组合物之矽石有约0﹒1cc/g至约4﹒0cc/g之孔隙度。20﹒根据申请专利范围第1.3.7或8项之方法,其中该触媒组合物之矽石之粒子大小分布在35至240微米范围内。21﹒根据申请专利范围第17项之方法,其中该触媒组合物之矽石之粒子大小分布在35至240微米范围内。22﹒根据申请专利范围第1﹒3.7或8项之方法,其中该触媒组合物中五氟化锑占组合物重量之5至80%。23﹒一种制备供链烷烃烷化反应用固体微粒触媒组合物之方法,包括:(a)以强酸洗涤微粒矽石,(b)分离该微粒矽石与酸,(c)用水洗清该微粒矽石,(d)加热该微粒矽石,(e)以五氟化锑处理该微粒矽石,及(f)使该含五氟化锑的矽石与C4至C7链烷于温度范围─30℃至─160℃内接触,以形成一含五氟化锑之矽石─C4至C7链烷组合物。24﹒根据申请专利范围第23项之方法,其中该强酸系无机酸。25﹒根据申请专利范围第24项之方法,其中该强酸系HCl。26﹒根据申请专利范围第25项之方法,其中该微粒矽石经清洗至中性。27﹒根据申请专利范围第23项之方法,其中该加热温度在80至650℃范围内。28﹒根据申请专利范围第23项之方法,其中该链烷含异链烷。29﹒根据申请专利范围第28项之方法,其中该异链烷含异丁烷。30﹒根据申请专利范围第27项之方法,其中该加热包括在80至150℃范围内温度初步加热充份时间以乾燥微粒矽石,然后于160至650℃范围内温度加热。31﹒一种链烷─经五氟化锑处理之酸洗矽石触媒组合物,其系以如申请专利范围第23项之方法制备。32﹒根据申请专利范围第8项之方法,其中该烯烃含乙烯。 |
