| 摘要 |
안정한 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 좋은 반도체 장치를 제공하는 것이 과제의 하나가 된다. 반도체층을 산화물 반도체층으로 하는 역 스태거형 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치에 있어서, 산화물 반도체층 위에 버퍼층을 갖는다. 버퍼층은 반도체층의 채널 형성 영역과, 소스 전극층 및 드레인 전극층에 접한다. 버퍼층은 막 내에 저항 분포를 갖고, 반도체층의 채널 형성 영역 위에 형성되는 영역의 전기 전도도(傳導度)는 반도체층의 채널 형성 영역의 전기 전도도보다 낮고, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 접하는 영역의 전기 전도도는 반도체층의 채널 형성 영역의 전기 전도도보다 높다. |
