| 主权项 |
1.一种积体电路,具有一带有图案之金属层,其系形成于一由绝缘材料所构成之第一层上,至少一由绝缘材料所构成之第二层,其系覆盖于该带有图案之金属层之部分,其中该带有图案层含有至少一可熔断连接部分,一开口,其系部分地通过该第二层,且在该可熔断连接上方,该开口具有一底部与侧壁表面,一保护层,其系由氮化矽所形成,覆盖于该第二层、该开口之底部与侧壁表面,以及该可熔断连接部分之上,以及其特征在于,该氮化矽材料之保护层具有具有一从1.2至1.6之间之矽对氮之比率,该保护层具有一大于50%之雷射照射穿透率。2.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该第一绝缘层系为氧化矽具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。3.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该第二绝缘层系由一硼磷矽酸酯玻璃所形成,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。4.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该保护层系为氮化矽,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。5.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该氮化矽所构成之保护层系为利用电浆增强化学蒸敷法制程来形成,其系藉着将矽烷与氨在一氮电浆中反应,该矽烷与氮之比例为从1.3至1.6之间,于一2至10托里切利(Torr)之间之压力范围,在一电子间距为介于560至600千分之一英寸(mil)之间,且在一介于350至400瓦之间之比例频率(rf)功率定。6.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该氮化矽所构成之保护层系系具有一大于50%之雷射光穿透率,其中该雷射照射之波长在一介于1037至1057微毫米(nanometer)之间之范围。7.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中该由氮化矽所形成之第二层系由一硼磷矽酸酯玻璃所形成。8.如申请专利范围第1项中所述之积体电路,其中由绝缘材料所构成之一第三层与一第四层系形成于该第二层与该延伸通过该第三与第四层两者之开口。9.如申请专利范围第8项中所述之积体电路,其中该第三绝缘层系为一复合材料层,其系由氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽所构成,且该第三绝缘层具有一范围介于7000至20,000埃之间之整体之厚度。10.如申请专利范围第8项中所述之积体电路,其中该第三层系为一复合材料层,其系由氧化矽与旋施玻璃所构成。11.如申请专利范围第8项中所述之积体电路,其中该第四层系由氮化矽所构成,具有一范围介于2000至10,000埃之间之厚度。12.如申请专利范围第8项中所述之积体电路,其中该第四层系由氧化矽所构成,具有一范围介于2000至10,000埃之间之厚度。13.一雷射照射可以穿透之护层保护层,其系覆盖在用于一半导体积体电路装置之可熔断连接之上,包舍:一第一绝缘层于该半导体基质之上;一可熔断连接于该第一绝缘层之上;一第二绝缘层覆盖于该可熔断连接与该第一绝缘层之上;一开口,在该可熔断连接之上,且至少部分地通过该第二层,该开口具有一底部与侧壁表面;以及一保护层,其系具有大于50%之雷射照射穿透率,该保护层覆盖于可熔断连接、该第二绝缘层与该开口之底部与侧壁表面之上。14.如申请专利范围第13中所述之一种雷射照射可以穿透之保护层,其中该第二绝缘层包含多于一层之绝缘层。15.如申请专利范围第13中所述之一种雷射照射可以穿透之保护层,其中该开口系完全通过该第二绝缘层,且将该熔丝之一部分暴露于外。16.如申请专利范围第13中所述之一种雷射照射可以穿透之保护层,其中该由氮化矽所构成之保护层系利用电浆增强化学蒸敷法制程来形成,其系藉着将矽烷与氨在一氮电浆中反应,该矽烷与氮之比例介于1.3至1.6之间,于一2至10托里切利(Torr)之间之压力范围,在一电子间距为介于560至600千分之一英寸(mil)之间,且在一介于350至400瓦之间之比例频率(fr)功率定,该由氮化矽所构成之保护层具有一从1.2至1.6之间之矽对氮之比率。17.如申请专利范围第13项中所述之一种雷射照射可以穿透之保护层,其中该由氮化矽所构成之保护层具有系具有一大于50%之雷射光束穿透率,其中该雷射照射之波长在一介于1037至1057微毫米之间之范围。18.一种形成一保护层之方法,其系具有一高度之雷射照射穿透率,且覆盖于一通过在一半导体装置中之绝缘层之上之开口,包含以下之步骤:形成一第一绝缘层于一半导体基质之上;形成一可熔断连接于该第一绝缘层之上;形成一第二绝缘层,至少部分地覆盖于该可熔断连接与该第一绝缘层之上;形成一开口,在该可熔断连接之上,且至少部分地通过该第二层,该开口具有一底部与侧壁,以及形成一保护层,其系具有大于50%之雷射照射穿透率,该保护层覆盖于可熔断连接、该第二绝缘层与该开口之底部与侧壁表面之上。19.如申请专利范围第18项中所述之方法,其中该第一绝缘层系游氧化矽所形成,具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。20.如申请专利范围第18项中所述之方法,其中该第二绝缘层系由硼磷矽酸酯玻璃所形成,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。21.如申请专利范围第18项中所述之方法,其中该保护层系为氮化矽,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。22.如申请专利范围第18中所述之方法,其中更包含利用电浆增强化学蒸敷法制程来形成该由氮化矽所构成之保护层,其系藉着将矽烷与氨在一氮电浆中反应,该矽烷与氮之比例介于1.3至1.6之间,于一2至10托里切利(torr)之间之压力范围,在一电子间距为介于560至600千分之一英寸(mil)之间,且在一介于350至400瓦之间之比例频率(rf)功率定,该由氮化矽所构成之保护层具有一从1.2至1.6之间之矽对氮之比率。23.如申请专利范围第18中所述之方法,其中该保护层系由氮化矽所形成,具有一大于50%之雷射光束穿透率,其中该雷射照射之波长在一介于1037至1057微毫米之间之范围。24.如申请专利范围第18项中所述之方法,其中更包含形成由绝缘材料所构成之至少一第三层与一第四层,其系形成于该第二层之上。25.如申请专利范围第24项中所述之方法,其中该更包含形成该由一复合材料层所构成之第三绝缘层,包括氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽,具有一范围介于7000至20,000埃之间之整体之厚度。26.如申请专利范围第24项中所述之方法,其中更包含形成该由一复合材料层所构成之第三绝缘层,该复合材料层系由旋施玻璃与氧化矽所构成。27.如申请专利范围第24项中所述之方法,其中该更包含形成该氮化矽所构成之第四绝缘层,具有一范围介于2000至10,000埃之间之厚度。28.如申请专利范围第24项中所述之方法,其中更包含形成该由氧化矽所构成之第四绝缘层,具有一范围介于2000至10,000埃之间之厚度。29.如申请专利范围第24项中所述之方法,其中该更包含形成一第二保护层,系位于该等绝缘层与该开口之表面之 |
