摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente umfasst einen Schritt A), in dem ein Träger (2) und eine Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips (1) bereitgestellt werden, wobei jeder Halbleiterchip (1) Kontaktelemente (10, 11) zur elektrischen Kontaktierung aufweist, die auf einer Kontaktseite (12) des Halbleiterchips (1) angeordnet sind. In einem Schritt B) werden die Halbleiterchips (1) lateral nebeneinander auf dem Träger (2) aufgebracht, wobei beim Aufbringen die Kontaktseiten (12) dem Träger (2) zugewandt werden. In einem Schritt C) wird eine elektrisch leitende Schicht (4) auf zumindest Teilbereiche der nicht vom Träger (2) bedeckten Seiten der Halbleiterchips (1) aufgebracht, wobei die elektrisch leitende Schicht (4) zusammenhängend ausgebildet ist. In einem Schritt D) wird eine Schutzschicht (7) auf zumindest Teilbereiche von quer zur Kontaktfläche (12) verlaufenden Seitenflächen (15) der Halbleiterchips (1) aufgebracht. In einem Schritt E) wird eine Konverterschicht (5) auf der elektrisch leitenden Schicht (4) elektrophoretisch abgeschieden. Die elektrisch leitende Schicht (4) wird in einem Schritt F) aus Bereichen zwischen der Konverterschicht (5) und den Halbleiterchips (1) entfernt. |