发明名称 介电质粉体层合电容器的制造方法
摘要 本发明系以提供热处理温度低,做为内部电极材料可用廉价之铜合金或镍合金之小型且大容量之介电质粉体层合电容器的制造方法为目的。本发明有关之介电质粉体层合电容器的制造方法系其特征为在金属微粉末或半导体微粉末表面设置介电质被膜成为介电质粉体,在此介电质粉体中加入有机结合剂,经混练成糊状并以此形成薄膜状之薄片,在此薄膜状薄片表面涂布可成为电极之含有金属微粉末的糊料,经乾燥后予以层合成为层合薄片,在玻璃微粉末中添加有机结合剂混练成糊料,以此形成为薄膜状玻璃薄片,在此薄膜状玻璃薄片间来入上述层合薄片并予以压粘,继而施予加热处理。
申请公布号 TW272294 申请公布日期 1996.03.11
申请号 TW083102138 申请日期 1994.03.12
申请人 高桥靖典 发明人 高桥靖典
分类号 H01G4/06 主分类号 H01G4/06
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种介电质粉体层合电容器的制造方法,其特征为在金属微粉末或半导体微粉末表面设置介电体被膜成为介电质粉体,在此介电质粉体中加入有机结合剂,经混练成糊状并以此形成薄膜状之薄片,在此薄膜状薄片表面涂布可成为电极之含有金属微粉未的糊料,经乾燥后予以层合成为层合薄片,在玻璃微粉末中添加有机结合剂混练成糊料,以此形成为薄膜状玻璃薄片,在此薄膜状玻璃薄片间夹入上述层合薄片并予以压粘,继而施予加热处理。2.如申请专利范围第1项之介电质粉体层合电容器的制造方法,其中藉由烘烤玻璃化剂于金属微粉末或半导体微粉末表面以形成介电质被膜。3.如申请专利范围第1项之介电质粉体层合电容器的制造方法,其中藉由烘烤被膜形成性之聚矽氧油于金属微粉末或半导体微粉末表面以形成介电质被膜。4.如申请专利范围第1项之介电质粉体层合电容器的制造方法,其中藉由烘烤被膜形成性之有机金属化合物于金属微粉末或半导体微粉末表面以形成介电质被膜。5.如申请专利范围第1项之介电质粉体层合电容器的制造方法其中氧化处理金属微粉末或半导体微粉末表面以形成再氧化之介电质被膜。6.如申请专利范围第1项,第2项,第3项,第4项或第5项之介电质粉体层合电容器的制造方法,黄中成为电极之金
地址 日本