发明名称 表面声波谐振腔滤波器
摘要 一种表面声波谐振腔滤波器,包括多个IDT,彼此紧挨地在36°Y截面X向传播式LiTaO<SUB>3</SUB>基片上设置;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧,IDT和反射器的各电极由或主要由铝构成的铝合金制成;SiO<SUB>2</SUB>薄膜形成得将IDT和反射器都覆盖住。电极厚度比T/λ和SiO<SUB>2</SUB>薄膜厚度比H/λ设定在2.6%≤T/λ≤4.8%,22%≤H/λ≤38%的范围内,其中T表示所述IDT各电极的厚度,H表示所述SiO<SUB>2</SUB>薄膜的厚度,λ表示表面声波的波长。
申请公布号 CN1134627A 申请公布日期 1996.10.30
申请号 CN96101976.X 申请日期 1996.03.22
申请人 株式会社村田制作所 发明人 下江一伸;平石明
分类号 H03H9/72 主分类号 H03H9/72
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;王忠忠
主权项 1.一种表面声波谐振腔滤波器,其特征在于,它包括:一种36°Y截面X向传播的LiTaO3基片;多个IDT,设置在所述LiTaO3基片上;多个反射器,设置在所述多个IDT的两侧;和SiO2薄膜,设置得使其覆盖住所述IDT和所述反射器;其中电极厚度比T/λ和SiO2薄膜厚度比H/λ取得满足以下不等式的条件:2.6%≤T/λ≤4.8%22%≤H/λ≤38%其中T表示所述IDT和反射器的各电极的厚度,H表示所述SiO2薄膜的厚度,λ表示在所述基片上产生的表面声波的波长,其长度为反射器电极间距的两倍。
地址 日本京都府