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发明名称
金属蚀刻过程中预防金属顶端抗反射层(氮化钛)受损的方法
摘要
本发明系关于一种在金属蚀刻过程中预防过蚀刻之方法。此方法应用于晶圆的制造过程,以改善传统制造过程所引起的高度落差及晶片边缘的光阻变薄等缺点。本发明特别引入了遮光切割道(dark scribe line) 之方法,藉由引用此方法可有效的改善传统制造过程之缺点。
申请公布号
TW293933
申请公布日期
1996.12.21
申请号
TW085103181
申请日期
1996.03.18
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
施足
分类号
H01L21/311
主分类号
H01L21/311
代理机构
代理人
陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项
1. 一种在金属蚀刻过程中用来预防过蚀刻之方法,包括下列之步骤: 先于在晶圆的切割道上铺设一层金属薄膜; 在上述设于切割道之金属薄膜上铺设一层光阻; 依传统晶圆制造过程继续后续动作;及 在最后一层金属层蚀刻后,去除切割道之光阻及金属薄膜。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中去除切割道上之金属薄膜之方法系利用一光罩加于晶片上,再将切割道上之光阻及金属层去除。图示简单说明:图1为使用传统净空切割道之方法,经多层制造过程后高度落差之情形。图2为使用本发明之遮光切割道之方法,经多层制造过程
地址
新竹科学工业园区园区三路一二一号
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