| 主权项 |
1. 一种记忆体之全面平坦化的制造方法,其中,该记忆体包括复数个记忆胞,每一记忆胞均包括至少一电晶体与至少一电子元件,该制造方法包括下列步骤:(a) 提供一矽基底,其中已界定出一记忆胞电路区与一周边电路区;(b) 在该记忆体电路区中形成该些记忆胞的电晶体,且在该周边电路中形成复数个周边电路电晶体;(c) 在该记忆胞电路区中,利用复数个薄膜层,形成该些记忆胞的电子元件,亦在该周边电路区中形成该些薄膜层;(d) 定义该周边电路区中的该些薄膜层,使该些薄膜层与该些周边电路电晶体形成断路;以及(e) 在该矽基底上方形成一平坦化绝缘层。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该记忆体系动态随机存取记忆体。3. 如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中步骤(c)中之该电子元件系电容器。4. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该记忆体系静态随机存取记忆体。5. 如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中步骤(c)中之该电子元件系负载电阻器。6. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤(e)中之该平坦化绝缘层系硼磷矽玻璃层。图示简单说明:第1A图至第1D图为习知一种动态随机存取记忆体的制造流程剖面示意图;第2A图至第2E图为根据本发明之一较佳实施例的制造流程剖面示意图;以及第3图为根据本发明一较佳实施例制造流程之后续制程的 |
