具有等向步阶的半导体基板

摘要

本发明的目的系在于便宜的提供能够得到具有优异的发光辉度等诸特性的发光元件的半导体基板。本发明系依序的在表面形成具有由磷化铝镓铟（ＩｎＧａＡ１Ｐ） 系材料所构成的活性层的双异质 （double hetro）构造体及第一电极，且在背面形成第２电极，而用以构成半导体发光元件的半导体基板１０中，在形成双异质构造体的面１０ａ上设置由（３１１）面或（５１１）面所构成的原子阶（step)。本发明的效果为：因为具有原子阶，所以能够得到与在面方位为倾斜的半导体基板的场合同样特性的半导体元件，再者，因为系使用正向（just）基板，所以其晶锭（ ingot）的切出效率也会变好。

主权项

1.一种具有等向步阶的半导体基板,系在表面依序形成具有由InGaA1P系材料所构成的活性层的双异质构造体及第1电极,且在背面形成第2电极,而用以构成半导体发光元件的半导体基板,其特征系:在前述形成双异质构造体的面10a具有由(n11)面所构成的原子阶。2.如申请专利范围第1项之具有等向步阶的半导体基板,其中前述的(n11)面系为(311)面或(511)面。3.如申请专利范围第1项之具有等向步阶的半导体基板,其中前述的形成了双异质构造体的面的面方位系(100)面。4.如申请专利范围第2项之具有等向步阶的半导体基板,其中前述的形成了双异质构造体的面的面方位系(100)面。5.如申请专利范围第3项之具有等向步阶的半导体基板,其中前述的(n11)面系从形成前述双异质构造体面的面方位(100)以51.0度以内的角度而倾斜。6.如申请专利范围第4项之具有等向步阶的半导体基板,其中前述(n11)面系从形成前述双异质构造体的面的面方位(100)以51.0度以内的角度而倾斜。7.如申请专利范围第1-6项中的任一项之具有等向步阶的半导体基板,其系由GaAs所形成。图示简单说明:第1图系概略的显示本发明的一实施例的具有等向步阶的半导体基板的构成的断面图,(a)为全体断面图,(b)-(d)为部份扩大图。第2图系概略的显示以往的半导体基板的构成,(a)为全体断面图,(b)-(d)为部份扩大图。第3图系概略的显示使用本发明的具有等向步阶的半导体基板的发光二极体的构成例的断面图。第4图系比较使用本发明的具有等向步阶的半导体基板的发光二极体及使用以往的半导体基板的发光二极体的初期发光效率的图。第5图系比较使用本发明的具有等向步阶的半导体基板的发光二极体及使用以往的半导体基皮的发光二极体的残存率的图。