| 主权项 |
1.一种可去除接触窗残渣之自对准接触窗制程,其包括:提供一已有间金属介电层沈积于上之金属层,且在上述间金属介电层之上有一图案化光阻,上述光阻用以定义接触窗;对上述接触窗进行一第一灰化步骤,该第一灰化步骤于一乾蚀刻机台上进行之;对上述接触窗进行一乾蚀刻步骤,该乾蚀刻步骤于上述乾蚀刻机台上进行之;对上述接触窗进行一第二灰化步骤,该第二灰化步骤于上述乾蚀刻机台上进行之;对上述接触窗进行一湿蚀刻步骤;以及对上述图案化光阻进行去除。2.如申请专利范围第1项之方法,其中可于第一灰化步骤前对上述图案化光阻进行硬烤,以增其附着性。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第一灰化步骤之反应时间约为40秒。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第二灰化步骤之反应时间为1分-2分。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第一灰化步骤之反应气体为氧气。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述乾蚀刻步骤之反应气体为氧气/三氟甲烷。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第二灰化步骤之反应气体为氧气。图示简单说明:第一a图与第一b图所示为第一种习知技术中可去除接触窗残渣之自对准接触窗制程之流程图与其所得之接触窗形状。第二a图与第二b图所示为第二种习知技术中可去除接触窗残渣之自对准接触窗制程之流程图与其所得之接触窗形状。第三a图与第三b图所示为本发明之可去除接触窗残渣之自对准接触窗制程之流程图与其所得之接触窗形状。 |
