| 主权项 |
1.一种相移式光罩的结构,包括:一光罩基板;一图案区,形成在该光罩基板上;一边界区,形成在该光罩基板上及该图案区的外围,该边界区大致成多边形,且在与该图案区相邻之一边具有复数个转角;以及复数个第一接触窗,形成在该边界区中,其分布方式系由该边界区的每一个转角处为一基准,往外、往两侧大致等间隔延伸分布。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中更包括:复数个中断区,形成在该边界区的每一边;以及复数个第二接触窗,形成在该些中断区中。3.如申请专利范围第2项所述之结构,其中该些第二接触窗的宽度小于该些第一接触窗的宽度。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该边界区大致成四边形。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中更包括一对准区与一对准标记,形成在该光罩基板上及该边界区的外围,用以于步进机上对准该光罩在晶圆上的相对位置。6.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该些第一接触窗的宽度约在0.8m到约1m之间。7.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该些第一接触窗彼此的间距约在1.5m到约2.5m之间。8.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该些第二接触窗的宽度约在0.2m到约0.8m之间。9.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该第一中断区的宽度均约在1.5m到约3.3m之间。10.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该些第二接触窗的宽度与该些中断区的宽度之关系式为(单位为m):第二接触窗的宽度=0.956ln(该些中断区的宽度)-0.099911.如申请专利范围第3项所述之结构,其中该些第二接触窗的宽度与该些中断区的宽度之关系式为(单位为m):第二接触窗的宽度=-0.174(该些中断区的宽度)2+1.23(空白条状区域的宽度)-1.17图示简单说明:第一A图和第一B图,第一A图所绘示的为利用步进器在晶圆上曝光所得图案的上视示意图,第一B图所绘示的为第一A图虚线部分的放大示意图;第二A图,其所绘示的为习知一种衰减相移式光罩的上视示意图;第二B图与第二C图,第二B图所绘示的为第二A图虚线部分之放大示意图,第二C图所绘示的为第二B图之剖面示意图;第三A图绘示的为习知一种在衰减相移式光罩边界区上局部接触窗的排列方式之上视示意图;第三B图绘示的为习知另一种在衰减相移式光罩边界区上局部接触窗的排列方式之上视示意图;第四A图绘示的为本发明之一较佳实施例,一种衰减移式光罩的上视示意图;以及第四B图与第四C图,第四B图绘示的为第四A图中虚线部分A之放大示意图,第四C图绘示的为第四A图中虚线部分之放大示意图。 |
