| 主权项 |
1.一种介电材料,其包含:全氟化聚对二甲苯;与未经氟化之聚对二甲苯。2.一种形成介电材料之方法,其包括以下步骤:聚对二甲苯二聚体昇华;使反应用单体曝露至反应性氟化剂;及在低温下,使全氟化与未经氟化之聚对二甲苯单体之混合物沈积在基材表面上,以形成聚合体介电材料。3.一种半导体装置,其包括:彼此相邻配置之第一个与第二个细长金属导体;及细长金属间介电物体,经配置在第一个与第二个金属导体之间,且包含全氟化与未经氟化之聚对二甲苯聚合体材料之混合物。4.根据申请专利范围第3项之半导体装置,其中金属间介电材料系经由将氟化剂与聚对二甲苯单体一起引进加热器中而形成。5.根据申请专利范围第4项之装置,其中氟化剂包含氟化钴。6.根据申请专利范围第4项之装置,其中氟化剂包含氟化钾。7.根据申请专利范围第4项之装置,其中氟化剂包含氟化氢。8.一种形成半导体装置之方法,其包括以下步骤:彼此间隔分开地形成第一个与第二个细长导电性元件;及于第一个与第二个导电性元件之间,沈积金属间介电材料,其包含全氟化与未经氟化之聚对二甲苯之混合物。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中沈积金属间电介质之步骤,系包括以下步骤:自聚对二甲苯二聚体来源,昇华二聚体蒸气;加热二聚体蒸气,以使二聚体内之单体解离;引进氟化剂至已解离之单体中;及使氟化剂与已解离之单体,在第一个与第二个导电性元件之表面上缩合。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中引进氟化剂之步骤,系包括引进氟化钾来源之步骤。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中引进氟化剂之步骤,系包括引进氟化氢来源之步骤。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中引进氟化剂之步骤,系包括引进氟化钴来源之步骤。图式简单说明:第一图为根据本发明之陈述内容所建构之一部份半导体装置之放大横截面示意图;第二图为一图示,说明用以产生在本发明之结构与方法中所使用金属间电介质之化学程序;及第三图为化学蒸气沈积系统之示意图,其可用以建构根据本发明陈述内容之半导体装置。 |
