| 主权项 |
1.一种宫能基化聚合物的方法,此方法包含下列步骤:将丁二烯或异戊间二烯单体进行阴离子聚合作用,而生成具有波峰分子量介于500和20,000间之活化聚合物;及将该活化聚合物与环氧丙烷或烷基取代之环氧丙烷进行反应,以形成一封端聚合物;以及视需要地氢化残留之乙烯系不饱和度,使之达到至少90%,及/或将该封端聚合物与水或醇进行反应。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该活化聚合物系与3,3-二甲基环氧丙烷反应。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该活化聚合物每分子中具二个可与环氧丙烷或经取代之环氧丙烷进行反应之终端位置。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该活化聚合物系聚丁二烯。5.根据申请专利范围第4项之方法,包含于结构改良剂之存在下将丁二烯单体进行阴离子性聚合作用,以形成具有30%至70%之1,2-加成物之活化聚丁二烯,其中该结构改良剂系选自二乙醚或1,2-二乙氧基乙烷。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合作用系以具有下列结构之宫能基化起始剂引发:其中各个R系甲基、乙基、正丙基或正丁基,A“系经烷基取代或未经取代之丙基架桥基,或为经烷基取代或未经取代之辛基架桥基。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中各个R系甲基而A“系未经取代之丙基。8.一种具有介于500及20000间之波分子量之聚合物,可经由包含下列步骤之方法制得:将丁二烯或异戊间二烯单体进行阴离子聚合作用,以形成活化聚合物;将该活化聚合物与环氧丙烷或经烷基取代之环氧丙烷进行反应,以形成一封端聚合物;视需要地氢化残留之乙烯系不饱和度,以使之达到至少90%,及/或将该封端聚合物与水或醇进行反应。 |
