| 主权项 |
1.一种沟渠型元件分离构造之制造方法,系为在该形成于矽基板之沟上,透过热氧化膜,来埋入该由上述之矽基板表面开始而直到上方为止呈突出之埋入氧化膜的沟渠型元件分离构造之制造方法,其特征为,系包含有:透过底涂氧化膜而在上述之矽基板上来形成非单结晶矽膜之后,该非单结晶矽膜,为了具有与上述之矽基板之沟壁部呈连接之侧壁部,所以由上述之非单结晶矽膜之表面开始而直到上述之矽基板内,形成有沟之沟形成作业;以及,在包含有上述之沟壁部的上述之沟内部的表面及上述之非单结晶矽膜之上述之侧壁部,形成有热氧化膜之热氧化作业;以及,用以除去该除了上述之已经被热氧化处理过之侧壁部以外的上述之非单结晶矽膜之除去作业;此外,为了使得可以在由上述之埋入氧化膜之上述之矽基板表面开始而直到上方为止呈突出之侧面上,形成有上述之热氧化膜,所以形成有上述之埋入氧化膜。2.如申请专利范围第1项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中在上述之制造方法中,更在上述之热氧化作业和上述之除去作业之间,还包含有:在上述之沟内部及上述之非单结晶矽膜上,堆积出上述之埋入氧化膜之堆积作业;以及,直到上述之非单结晶矽膜暴露出为止,而由上述之埋入氧化膜之上面开始来减少膜厚度之薄膜化作业;此外,侧壁系由上述之矽基板表面开始而直到上方为止呈突出,而在该呈突出之侧壁上所形成之上述之埋入氧化膜,也设置有上述之热氧化膜。3.如申请专利范围第2项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,还包含有在上述之沟之两侧之上述之非单结晶矽膜上,形成有氮化矽膜之作业;并且,在上述之薄膜化作业中,还包含有以上述之氮化矽膜来作为阻件以减少上述之埋入氧化膜之膜厚度,而在上述之沟内部中仅残留有上述之埋入氧化膜之后,再除去上述之氮化矽膜之作业。4.如申请专利范围第2项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中在上述之制造方法中,更在上述之堆积作业和上述之薄膜化作业之间,还包含有:由上述之非单结晶矽膜之上面开始而直到下方所规定之位置为止,而由上部开始来除去上述之埋入氧化膜及上述之热氧化膜之作业;以及,在上述之沟内部及上述之非单结晶矽膜上,堆积出上层埋入氧化膜之作业。5.如申请专利范围第2项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,在上述之堆积作业和上述之薄膜化作业之间,还包含有:直到上述之非单结晶矽膜之上面和底面之间的所规定之位置为止,由上部开始来除去上述之埋入氧化膜及上述之热氧化膜,以暴露出上述之非单结晶矽膜之至少一部分之侧面及上面之作业;以及,藉由对于上述之非单结晶矽膜之上述之呈露出之侧面以及上面,进行热氧化处理,以使得上述之埋入氧化膜之两侧之热氧化膜之前端部份变厚之作业;以及,在使得上述之热氧化膜之前端部份变厚之后,于整个面上,堆积出上层埋入氧化膜之作业。6.如申请专利范围第2项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中在上述之制造方法中,更在上述之薄膜化作业和上述之除去作业之间,还包含有:藉由对于上述之非单结晶矽膜之上述之呈露出之上面,来进行热氧化处理,以使得上述之非单结晶矽膜之侧壁部之热氧化膜之上端部份变厚之作业;以及,在使得上述之热氧化膜之上端部份变厚之后,再除去上述之非单结晶矽膜之上面部位之热氧化膜之作业。7.如申请专利范围第2项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中在上述之制造方法中,更在上述之堆积作业和上述之薄膜化作业之间,还包含有:直到上述之非单结晶矽膜之上面和底面之间的所规定之位置为止,由上部开始来除去上述之埋入氧化膜及上述之热氧化膜,以暴露出上述之非单结晶矽膜之侧面和上面之作业;以及;在整个面上,堆积出热氧化用非单结晶矽膜之作业;以及,对于上述之热氧化用非单结晶矽膜及上述之非单结晶矽膜,进行热氧化处理,以形成热氧化膜之作业;以及,在整个面上,堆积出上层埋入氧化膜之作业。8.如申请专利范围第1项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,更在上述之热氧化作业之前,还包含有在上述之沟内部及上述之非单结晶矽膜上,来堆积出该埋入氧化膜之堆积作业;并且,上述之热氧化作业,系为藉由相隔着上述之埋入氧化膜而进行热氧化处理,以形成热氧化膜之作业。9.如申请专利范围第8项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中在上述之制造方法中,更在上述之热氧化作业和上述之除去作业之间,还包含有该直到暴露出上述之非单结晶矽膜为止,由上述之埋入氧化膜之上面开始,来减少膜厚度之薄膜化作业;并且,也为了在由上述之埋入氧化膜之上述之矽基板表面开始而直到上方为止呈突出之侧面上,形成有上述之热氧化膜,所以形成有上述之埋入氧化膜。10.如申请专利范围第9项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,还包含有该在上述之沟之两侧之上述之非单结晶矽膜上,形成有氮化矽膜之作业;并且,于上述之薄膜化作业之中,还包含有在以上述之氮化矽膜来作为阻件,以减少上述之埋入氧化膜之膜厚度,而在上述之沟内部中,仅残留有上述之埋入氧化膜之后,再除去上述之氮化矽膜之作业。11.如申请专利范围第8项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,更在上述之堆积作业和上述之热氧化作业之间,还包含有该直到暴露出上述之非单结晶矽膜为止,由上述之埋入氧化膜之上面开始,来减少膜厚度之作业;并且,在上述之热氧化作业和上述之除去作业之间,还包含有该除去上述之非单结晶矽膜之上面部位之热氧化膜之作业。12.如申请专利范围第9项之沟渠型元件分离构造之制造方法,其中上述之制造方法,还包含有该在上述之沟之两侧之上述之非单结晶矽膜上,形成有氮化矽膜之作业;并且,在上述之堆积作业和上述之热氧化作业之间,还包含有该以上述之氮化矽膜为阻件以减少上述之埋入氧化膜之膜厚度,而仅在上述之沟内部中,残留有上述之埋入氧化膜之作业;而且,在进行热氧化处理之后,还包含有该除去上述之氮化矽膜之作业。13.一种沟渠型元件分离构造,系为在该形成于矽基板上之沟中,透过热氧化膜,而埋入该由上述之矽基板表面开始而朝向上方呈突出之埋入氧化膜的沟渠型元件分离构造,其特征为:为了使得由上述之矽基板表面开始而直到上方为止呈突出之埋入氧化膜、其在上述之沟之沟壁上之垂直方向之膜厚度,在上述之矽基板表面附近变得最厚,因此具有上述之热氧化膜,在上述之矽基板表面附近,逐渐向外地呈突出之突出部份。14.如申请专利范围第13项之沟渠型元件分离构造,其中除了上述之突出部份以外之上述之热氧化膜之上述之膜厚度,其在该比起上述之矽基板表面还更上面之上部中之膜厚度,比起该形成在比上述之矽基板表面更下面之下部之上述之沟表面上之热氧化膜之膜厚度,还来得更厚。15.如申请专利范围第13或14项之沟渠型元件分离构造,其中上述之埋入氧化膜之上面,还被热氧化膜所覆盖住。图式简单说明:第一图系为本发明之实施型态1之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第二图系为本发明之实施型态2之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第三图系为本发明之实施型态3之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第四图系为本发明之实施型态4之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第五图系为本发明之实施型态5之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第六图系为本发明之实施型态6之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第七图系为本发明之实施型态7之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第八图系为本发明之实施型态8之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第九图系为本发明之实施型态9之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第十图系为本发明之实施型态10之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第十一图系为藉由本发明之实施型态1所制作出之沟渠型元件分离构造之剖面图。第十二图系为使用本发明之实施型态11之沟渠型元件分离构造的DRAM构造之剖面图。第十三图系为习知之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第十四图系为习知之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第十五图系为习知之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。第十六图系为在习知之沟渠型元件分离构造上,形成有闸极电极之电晶体之剖面构造图。第十七图系为习知之沟渠型元件分离构造之制造作业剖面图。 |
