| 主权项 |
1.一种晶片打孔对位保护方法,以于打孔时保护一晶片之表面,其包含下列步骤:均匀涂布一水溶性之胶状物接着剂于该晶片之表面上;以及对位黏着一防撞透明薄片于该水溶性之胶状物接着剂上,该防撞透明薄片系具该晶片上相对应之图样,以于打孔时保护该晶片之表面。2.如申请专利范围第1项所述之晶片打孔对位保护方法,其中涂布该水溶性之胶状物接着剂于该晶片表面更包含下列步骤:旋转该晶片,使该水溶性之胶状物接着剂均匀涂布于该晶片之表面;以及烘烤该晶片。3.如申请专利范围第2项所述之晶片打孔对位保护方法,其中旋转该晶片的速度约为1000至3500rpm,直到该水溶性之胶状物接着剂涂布于该晶片上厚约10um至50um为止。4.如申请专利范围第2项所述之晶片打孔对位保护方法,其中烘烤该晶片的温度约为摄氏120至150度,时间约为1至5分钟。5.如申请专利范围第1项所述之晶片打孔对位保护方法,其中涂布该水溶性之胶状物接着剂之剂量约为10至40cc。6.如申请专利范围第1项所述之晶片打孔对位保护方法,其中对位黏着该防撞透明薄片于该晶片之水溶性之胶状物接着剂上系利用该防撞透明薄片与该晶片上的图样来进行。7.如申请专利范围第6项所述之晶片打孔对位保护方法,其中该防撞透明薄片之材质系为多元酯(polyester)。8.如申请专利范围第1项所述之晶片打孔对位保护方法,其中打孔的方法系为喷砂处理。图式简单说明:第一图:习用对位打孔的方法。第二图:本案晶片打孔对位保护法步骤之一。第三图:本案晶片打孔对位保护法步骤之二。 |
