| 主权项 |
1.一种注入型发光二极体阵列的制造方法,包含以下步骤:在一非导电材料的基质上提供一主要表面;在主要表面的基质上形成一导电材料层;在导电层上形成第一载子限制层;在第一载子限制层上形成主动层;在主动层上形成第二载子限制层;选择性的在第二载子限制层上形成导电帽层,以提供第二载子限制层的露出区域,而该等露出区域界定出该等露出之列区域与行区域,在该等列与行之间置有二极体光射出区域矩阵,该矩阵区上盖有导电帽层;在该等露出的列区域的多个位置中注入第一杂质,以形成多个垂直导体,该等导体通过第二载子限制层、主动层与至少部分通过第一载子限制层以提供与本矩阵中每一个二极体的列表面接触;在该等露出的列与行区域中注入第二杂质,通过第二载子限制层,并且至少通过主动层以形成围绕每一二极体的隔离电阻体,在每一二极体周围置有隔离电阻体,以便由主动层与第一载子限制层中分出该等垂直导体;及在该等露出的列区域中注入第三杂质,通过第二载子限制层、主动层、第一载限制层与至少进入基质中,以建立在每一二极体光射出区域的列之间的隔离电阻体。2.一种注入型发光二极体阵列的制造方法,包括以下诸步骤:在一基质上提供一主要表面;在基质上形成多个材料层,至少包括由基质的主要表面而来的导电材料层、在导电层上的第一载子限制层、在第一载子限制层上的主动层与在主动层上的第二载子限制层;及在该等材料层中注入第一杂质,以形成多个垂直导体,通过至少该等层的一部分,俾对该矩阵之每一二极体提供表面接触,并且在该等材料层中注入第二及第三杂质,以便将此等材料层分隔为位于列与行的矩阵中之多个隔离的发光二极体。3.一种注入型发光二极体阵列的制造方法,包括以下诸步骤:在一非导电材料的基质上提供一主要表面;在主要层上外延生长一材料导电层、在导电层上生长第一载子限制层、在第一载子限制层上生长主动层、与在主动层上生长第二载子限制层;界定列区域与行区域,在该等列与行之间置有二极体光射出区域矩阵;在该等列区域的多个位置中注入第一杂质,以形成多个垂直导体,该等导体通过第二载子限制层、主动层与至少部分通过第一载子限制层以提供与该矩阵中每一个二极体的列表面接触;在该等列与行区域中注入第二杂质,通遇第二载子限制层,并且至少通过主动层以形成围绕每一二极体的隔离电阻体,在每一二极体周围置有隔离电阻体,以便由主动层与第一载子限制层中分出该等垂直导体;及在该等到区域中注入第三杂质,通过第二载子限制层、主动层、第一载限制层与至少进入基质中,以建立在每一二极体光射出区域的列之间的隔离电阻体。4.一种注入型发光二极体阵列,包括:一含有一主要平面的基质;在基质上形成的多个材料层,至少包括由基质的主要表面所提供的导电材料层、在导电层上的第一载子限制层、在第一载子限制层上的主动层、与在主动层上的第二载子限制层;及存在于该等材料层中之第一杂质,以形成多个垂直导体,通过至少复数层的一部分,俾对该矩阵之每一二极体提供表面接触,及存在于该等材料层中之第二及第三杂质,以便将该等材料层分隔为位于列与行的矩阵中之多个隔离的发光二极体。5.一种注入型发光二极体阵列,包括在一非导电材料基质上提供的一主要平面;在主要层上生长的导电材料层、在导电层上生长的第一载子限制层、在第一载子限制层上生长的主动层与在主动层上生长的第二载子限制层;在第二载子限制层上界定列区域与行区域,在该等列与行之间置有二极体光射出区域矩阵;在该等露出的列区域中之第一杂质保留,以形成多个垂直导体,该等导体通过第二载子限制层、主动层与至少部分通过第一载子限制层以提供与该矩阵中每一个二极体的列表面接触;保留在该等露出的列与行区域中之第二杂质,通过第二载子限制层,并且至少通过主动层以形成围绕每一二极体的隔离电阻体,在每一二极体周围置有隔离电阻体,以便由主动层与第一载子限制层中分出该等垂直导体;及保留在该等露出的列区域中之第三杂质,通过第二载子限制层、主动层、第一载限制层与至少进入基质中,以建立在每一二极体光射出区域的列之间的隔离电阻体。图式简单说明:第一图-第五图是简化的截面图,这些图描述依循本发明所揭之制造之注入型发光二极体阵列的顺序制造步骤;第六图是一完整的注入型发光二极体阵列顶视图,其中一部分图已切除;且第七图-第十二图是简化的截面图,这些图描述依循本发明的另一种制造方法的顺序步骤。 |
