| 主权项 |
1.一种无线电波吸收面板,包括:至少二绝缘基底,该些绝缘基底系平行设置且以一预定距离相距,每该绝缘基底之至少一侧形成有一连续传导薄膜;以及至少一绝缘基底,平行置于该些绝缘基底之间,该绝缘基底之一表面上形成有复数个传导薄膜,其中该些传导薄膜系以复数个带状型式或一矩阵型式设置。2.如申请专利范围第1项所述之无线电波吸收面板,其中该连续传导薄膜之面电阻系数介于1/至300/之间,当该些传导薄膜以该些带状型式设置时,每一该些传导薄膜之宽度及面电阻系数分别记为H cm及RBM/,以该些带状型式设置之该些传导薄膜所在绝缘基底之绝缘电阻记为RDcm,此时H,RBM以及RD具有以下关系:1cm≦H≦50cm1/≦RBM≦40/RD≧30,000cm。3.如申请专利范围第1项所述之无线电波吸收面板,其中该连续传导薄膜之面电阻系数介于1/至3000/之间,当该些传导薄膜以该矩阵型式设置时,每一该些传导薄膜之宽度,长度以及面电阻系数分别记为H cm、V cm以及RBM/,以该矩阵型式设置之该些传导薄膜所在绝缘基底之绝缘电阻记为RDcm,此时H,V,RBM以及RD具有以下关系:1cm≦H≦50cm1cm≦V≦50cm1/≦RBM≦40/RD≧30,000cm。4.如申请专利范围第1项所述之无线电波吸收面板,其中形成于该些绝缘基底之一者表面上的该连续传导薄膜之面电阻系数介于1/至30/之间,形成于该些绝缘基底之另一者表面上的该连续传导薄膜之面电阻系数介于50/至3000/之间,当该些传导薄膜以该些带状型式设置时,每一该些传导薄膜之宽度及面电阻系数分别记为H cm及RBM/,以该些带状型式设置之该些传导薄膜所在绝缘基底之绝缘电阻记为RDcm,此时H,RBM以及RD具有以下关系:1cm≦H≦50cm1/≦RBM≦40/RD≧30,000cm。5.如申请专利范围第1项所述之无线电波吸收面板,其中形成于该些绝缘基底之一者表面上的该连续传导薄膜之面电阻系数介于1/至30/之间,形成于该些绝缘基底之另一者表面上的该连续传导薄膜之面电阻系数介于50/至3000/之间,当该些传导薄膜以该矩阵型式设置时,每一该些传导薄膜之宽度、长度以及面电阻系数分别记为H cm、V cm以及RBM/,以该矩阵型式设置之该些传导薄膜所在绝缘基底之绝缘电阻记为RDcm,此时H,V,RBM以及RD具有以下关系:1cm≦H≦50cm1/≦RBM≦40/RD≧30,000cm。6.如申请专利范围第1至5项中任一项所述之无线电波吸收面板,其中该绝缘基底系透明玻璃板,且以该些带状型式与该矩阵型式所架构之该些传导薄膜主要成分为:氧化锡或氧化铟或由银、金、铜或铝为主要成分所组成的金属薄膜。7.如申请专利范围第1至5项中任一项所述之无线电波吸收面板,其中该至少二绝缘基底之间的空间内系密闭有乾燥空气,且于该至少一基底之表面形成有该些传导薄膜,其中该些传导薄膜系以该些带状型式或该矩阵型式设置。8.如申请专利范围第6项所述之无线电波吸收面板,其中该至少二绝缘基底之间的空间内系密闭有乾燥空气,且于该至少一基底之表面形成有该些传导薄膜,其中该些传导薄膜系以该些带状型式或该矩阵型式设置。9.如申请专利范围第1至5项中任一项所述之无线电波吸收面板,其中该至少二绝缘基底之间的空间内系密闭有树脂,且于该绝缘基底之表面形成有该些传导薄膜;其中该些传导薄膜系以该些带状型式或该矩阵型式设置以形成一复合玻璃结构。10.如申请专利范围第6项所述之无线电波吸收面板,其中该至少二绝缘基底之间的空间内系密闭有树脂,且于该绝缘基底之表面形成有该些传导薄膜,其中该些传导薄膜系以该些带状型式或该矩阵型式设置以形成一复合玻璃结构。图式简单说明:第一图绘示本发明所提供之无线电波吸收面板结构剖面图;第二图绘示本发明所提供之传导薄膜图形,其中此传导薄膜系以带状型式设置;第三图绘示本发明所提供之传导薄膜图形,其中此传导薄膜系以矩阵型式设置;第四图A绘示本发明所提供之绝缘基底结构图,其中此绝缘基底之表面形成有带状传导薄膜,第四图B系此带状传导薄膜之平面图,第四图C系沿第四图B中C-C切线所示之剖面图;第五图绘示无线电波之传输、反射及吸收情形对频率特性的作图,此时具带状传导薄膜之绝缘基底并未置入两绝缘基底间;第六图绘示无线电波之传输、反射及吸收情形对频率特性的作图,此时如本发明所示,已将具带状传导薄膜之绝缘基底置入两绝缘基底间;第七图绘示依照本发明所提供之第一较佳实施例,依理论计算所获致之结果;以及第八图绘示依照本发明所提供之第一比较例,依理论计算所获致之结果。 |
