| 主权项 |
1.一种半导体元件之电容器制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上有一电晶体;形成一插塞,用以电性导通该电晶体之一杂质区;形成一矽-氢键结层于该插塞之表面上;从该矽-氢键结层上游离出复数个氢离子,用以形成一SiOx层;以及形成一电极覆盖该插塞。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该矽-氢键结层的方法,包括将该半导体基底浸泡于HF水溶液中。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该SiOx层的方法,包括使用一第一回火制程从该矽-氢键结层上游离出该些氢离子,并且该第一回火制程更包括在压力约小于10-6与温度约为420-600℃的环境中进行。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中更包括以一第二回火制程破坏该SiOx层,用以电性连接该插塞与该电极。5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该第二回火制程更包括在温度约大于750℃的环境中进行。6.一种半导体元件之电容器制造方法,包括下列步骤:形成一绝缘层于一半导体基底上,该半导体基底上形成有一电晶体;选择性地去除该绝缘层用以形成一接触窗口,暴露出该电晶体之一杂质区;形成一插塞于该接触窗口中;形成一矽-氢键结层于该插塞之表面上;从该矽-氢键结层上游离出复数个氢离子,用以形成一SiOx层;以及形成一电极覆盖该插塞。7.如中请专利范围第6项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中更包括形成一矽层覆盖该绝缘层与该接触窗口,以及回蚀该矽层,藉以形成该插塞层。8.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该矽层之材质包括多晶矽与非结晶矽其中之一。9.如申请专利范围第6项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该绝缘层之材质包括硼磷矽玻璃与矽酸四乙酯其中之一。10.如中请专利范围第6项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该矽-氢键结层的方法,包括将该半导体基底浸泡于HF水溶液中。11.如申请专利范围第6项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该SiOx层的方法,包括使用一第一回火制程,从该矽-氢键结层上游离出该些氢离子,并且该第一回火制程更包括在压力约小于10-6与温度约为420-600℃的环境中进行。12.如申请专利范围第6项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中更包括以一第二回火制程破坏该SiOx层,用以电性连接该插塞与该电极。13.如申请专利范围第12项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该第二回火制程更包括在温度约大于750℃的环境中进行。14.如申请专利范围第12项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该第二回火制程系在用以平坦化的玻璃回流或介电层结晶化的步骤中进行。15.一种半导体元件之电容器制造方法,包括下列步骤:形成一第一绝缘层于一半导体基底上,该半导体基底上形成有一电晶体;选择性地去除该第一绝缘层,用以形成一第一接触窗口,暴露出该电晶体之一第一杂质区;形成一位元线于该第一绝缘层与该第一接触窗口上;形成一第二绝缘层于该第一绝缘层与该位元线上;选择性地去除该第一绝缘层与该第二绝缘层,用以形成一第二接触窗口,暴露出该电晶体之一第二杂质布植区;形成一插塞于该第二接触窗口中;形成一矽-氢键结层于该插塞之表面上;从该矽-氢键结层之表面游离出复数个氢离子,用以形成一SiOx层;以及形成一下电极覆盖该插塞。16.如申请专利范围第15项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中更包括下列步骤:形成一介电层于该下电极上;以及形成一上电极于该介电层上。17.如申请专利范围第15项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该矽-氢键结层的方法,包括将该半导体基底浸泡于HF水溶液中。18.如申请专利范围第15项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中形成该SiOx层的方法,包括使用一第一回火制程从该矽-氢键结层上游离出该些氢离子,并且该第一回火制程更包括在压力约小于10-6,以及温度约为420-600℃的环境中进行。19.如申请专利范围第15项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中更包括以一第二回火制程破坏该SiOx层,用以电性连接该插塞与该下电极。20.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之电容器制造方法,其中该第二回火制程更包括在温度约大于750℃的环境中进行。图式简单说明:第一图系绘示习知电容器之剖面图;第二图A-第二图I系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体之电容的制造流程剖面图;以及第三图A与第三图B系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种X-射线绕射(X-ray Diffusion;XRD)图。 |
