复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法

摘要

一种复晶矽化金属(Polycide)中复晶矽／金属矽化物(Polysilicon/WSix)之界面平坦化的方法，乃是以调控复晶矽沉积制程的温度，于进行复晶矽沉积的同时来改善复晶矽层表面的平坦度。首先，在一积体电路半导体基板上沉积一层有杂质复晶矽层(doped polysilicon)；接着，在有杂质复晶矽层上形成一层无杂质复晶矽层(undoped polysilicon)；随后立即降低制程温度，并进行清除(Purge)之处理；最后，在该无杂质复晶矽层上形成一层金属矽化物。

主权项

1.一种复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其步骤包含:(a)在一积体电路基底上,形成一层有杂质复晶矽层;(b)在该有杂质复晶矽层上形成一层无杂质复晶矽层;(c)降低制程温度,并开始进行清除(Purge)及抽真空之处理;以及(d)在该无杂质复晶矽层上形成一层金属矽化物。2.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层系以低压化学气相沉积法(LPCVD)所形成。3.如申请专利范围第2项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成有杂质复晶矽层的低压化学气相沉积法(LPCVD),系采用整批式(Batch type)设计的炉管式(Tubular Type)LPCVD。4.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成有杂质复晶矽层之温度系介于560℃-650℃之间。5.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层之杂质可选自硼和磷。6.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述无杂质复晶矽层系以低压化学气相沉积法(LPCVD)所形成。7.如申请专利范围第6项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成无杂质复晶矽层的低压化学气相沉积法(LPCVD),系采用整批式(Batchtype)设计的炉管式(Tubular Type)LPCVD。8.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成无杂质复晶矽层之温度系介于560℃-650℃之间。9.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至炉管待机(Standby)温度。10.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至约400℃。11.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至500℃以下。12.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层的厚度系介于1200埃到1300埃之间。13.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述无杂质复晶矽层的厚度系介于200埃到300埃之间。14.如申请专利范围第1项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述金属矽化物系矽化钨(Tungsten Silicide; WSix)。15.一种复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其步骤包含:(a)在一积体电路基底上,形成一层有杂质复晶矽层;(b)在该有杂质复晶矽层上形成一层无杂质复晶矽层;(c)降低制程温度,并开始进行清除(Purge)及抽真空之处理;(d)在该无杂质复晶矽层上形成一层金属矽化物;以及(e)使用微影蚀刻法在该基底上形成一闸极结构。16.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层系以低压化学气相沉积法(LPCVD)所形成。17.如申请专利范围第16项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成有杂质复晶矽层的低压化学气相沉积法(LPCVD),系采用整批式(Batch type)设计的炉管式(TubularType)LPCVD。18.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成有杂质复晶矽层之温度系介于560℃-650℃之间。19.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层之杂质系选自硼和磷。20.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述无杂质复晶矽层系以低压化学气相沉积法(LPCVD)所形成。21.如申请专利范围第20项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成无杂质复晶矽层的低压化学气相沉积法(LPCVD),系采用整批式(Batch type)设计的炉管式(Tubular Type)LPCVD。22.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述形成无杂质复晶矽层之温度系介于560℃-650℃之间。23.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至炉管待机(Standby)温度。24.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至约400℃。25.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述降低制程温度系降至500℃以下。26.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述有杂质复晶矽层的厚度系介于1200埃到1300埃之间。27.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述无杂质复晶矽层的厚度系介于200埃到300埃之间。28.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述金属矽化物系矽化钨(Tungsten Silicide; WSix)。29.如申请专利范围第15项之复晶矽化金属中复晶矽/金属矽化物之界面平坦化的方法,其中所述蚀刻法系非等向性乾蚀刻法。图式简单说明:第一图为习知技术中,闸极结构之剖面示意图。第二图为习知技术制程中的温度-时间曲线图。第三图为本发明中,闸极结构之剖面示意图。第四图为本发明制程中的温度-时间曲线图。