| 主权项 |
1.一种双嵌金法之制造方法,适用于具有元件结构的一基底上,该基底具有一定义之第一导电层;该制造方法至少包括:对该基底依序形成一第一介电层与一硬材料层,该硬材料层具有一第一开口而暴露出该第一介电层,该第一开口位于该第一导电层之上;对该基底形成一第二介电层,该第二介电层具有低介电常数;对该第二介电层进行一第一离子植入步骤,使该第二介电层结构较为紧密;在该第二介电层上形成一硬罩幕层,该硬罩幕层具有一第二开口,该第二开口位于该第一开口之上,该硬罩幕层之该第二开口之一侧边轮廓由下往上逐渐变宽;以该硬罩幕层与该硬材料层为罩幕,定义该第二介电层与该第一介电层,使该第一开口与该第二开口连通形成一第三开口,暴露出该第一导电层;至少对该第二介电层暴露出之一侧壁进行一第二离子植入步骤,使该侧壁结构紧密;对该基底形成一阻障层;以及在该第三开口形成一第二导电层,该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。2.申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,在该第三开口形成一第二导电层,更包括以硬罩幕层为一研磨终点,以化学机械研磨法使该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。3.申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一离子植入步骤包括磷离子与砷离子二者择一。4.申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二离子植入步骤包括磷离子与砷离子二者择一。5.申请专利范围第1项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一介电层包括低介电常数之材料层。6.一种双嵌金法之制造方法,适用于具有元件结构的一基底上,该基底具有一定义之第一导电层;该制造方法至少包括:对该基底依序形成一第一介电层与一硬材料层,该硬材料层具有一第一开口而暴露出该第一介电层,该第一开口位于该第一导电层之上;对该基底形成一第二介电层,该第二介电层具有低介电常数;对该第二介电层进行一第一电浆处理步骤,使该第二介电层结构较为紧密;在该第二介电层上形成一硬罩幕层,该硬罩幕层具有一第二开口,该第二开口位于该第一开口之上,该硬罩幕层之该第二开口之一侧边轮廓由下往上逐渐变宽;以该硬罩幕层与该硬材料层为罩幕,定义该第二介电层与该第一介电层,使该第一开口与该第二开口连通形成一第三开口,暴露出该第一导电层;至少对该第二介电层暴露出之一侧壁进行一第二电浆处理步骤,使该侧壁结构紧密;对该基底形成一阻障层;以及在该第三开口形成一第二导电层,该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。7.申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,在该第三开口形成一第二导电层,更包括以硬罩幕层为一研磨终点,以化学机械研磨法使该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。8.申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一电浆步骤包括Ar、N2与N2O中择一之电浆处理。9.申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二电浆步骤包括Ar、N2与N2O中择一之电浆处理。10.申请专利范围第6项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二电浆步骤包括H2/O2之低压电浆处理。11.一种双嵌金法之制造方法,适用于具有元件结构的一基底上,该基底具有一定义之第一导电层;该制造方法至少包括:对该基底依序形成一第一介电层与一硬材料层;对该基底形成一第二介电层,该第二介电层具有低介电常数;对该第二介电层进行一第一离子植入步骤,使该第二介电层结构较为紧密;在该第二介电层上形成一硬罩幕层,该硬罩幕层具有一第一开口,该硬罩幕层之该第一开口之一侧边轮廓由下往上逐渐变宽;以该硬罩幕层为罩幕,定义该第二介电层,形成一第二开口,暴露出该硬材料层;对该第二介电层一第二离子植入步骤,使该侧壁结构紧密;在暴露出之该侧壁形成一阻障层;以及在该第二开口形成一第二导电层,该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。12.申请专利范围第11项所述双嵌金法之制造方法,在该第二开口形成一第二导电层,更包括以硬罩幕层为一研磨终点,以化学机械研磨法使该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。13.申请专利范围第11项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一离子植入步骤包括磷离子与砷离子二者择一。14.申请专利范围第11项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二离子植入步骤包括磷离子与砷离子二者择一。15.申请专利范围第11项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一介电层包括低介电常数之材料层。16.一种双嵌金法之制造方法,适用于具有元件结构的一基底上,该基底具有一定义之第一导电层;该制造方法至少包括:对该基底依序形成一第一介电层与一硬材料层;对该基底形成一第二介电层,该第二介电层具有低介电常数;对该第二介电层进行一第一电浆处理步骤,使该第二介电层结构较为紧密;在该第二介电层上形成一硬罩幕层,该硬罩幕层具有一第一开口,该硬罩幕层之该第一开口之一侧边轮廓由下往上逐渐变宽;以该硬罩幕层为罩幕,定义该第二介电层,形成一第二开口,暴露出该硬材料层;对该第二介电层一第二电浆处理步骤,使该侧壁结构紧密;在暴露出之该侧壁形成一阻障层;以及在该第二开口形成一第二导电层,该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。17.申请专利范围第16项所述双嵌金法之制造方法,在该第二开口形成一第二导电层,更包括以硬罩幕层为一研磨终点,以化学机械研磨法使该第二导电层之一表面至少与该第二介电层同高。18.申请专利范围第16项所述双嵌金法之制造方法,其中该第一电浆步骤包括Ar、N2与N2O中择一之电浆处理。19.申请专利范围第16项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二电浆步骤包括Ar、N2与N2O中择一之电浆处理。20.申请专利范围第16项所述双嵌金法之制造方法,其中该第二电浆步骤包括H2/O2之低压电浆处理。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示一种习知双嵌金法之制造流程剖面图;第二图系显示一种习知双嵌金法之结构剖面图;以及第三图A至第三图F系显示根据本发明较佳实施例双嵌金法之制造流程剖面图。 |
