发明名称 光罩制造方法
摘要 一种光罩制造方法,包括:在透明底材上形成抗反光层,然后在抗反光层上沉积一透明层,接着定义出透明层区块。沉积一遮蔽层,将透明层区块与暴露之抗反光层覆盖住。然后除去部分遮蔽层,直到暴露出抗反光层,使透明层区块之侧壁具有均匀的宽度。之后,以蚀刻法将透明层除去,留下以不透明材料为组成之间隙壁,而形成具有窄间距之透明区与不透明区之光罩。
申请公布号 TW381189 申请公布日期 2000.02.01
申请号 TW087115480 申请日期 1998.09.17
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 林思闵
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种光罩制造方法,包括:提供一可透光底材;在该可透光底材上形成一透明层;定义该透明层,暴露出部份该可透光底材,以形成一透明层块;形成一遮蔽层,覆盖该透明层块与该可透光底材;去除该遮蔽层,直到暴露出该可透光底材;研磨该遮蔽层与该透明层块,去除部分该遮蔽层与该透明层;以及去除该透明层,直到暴露出该可透光底材。2.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材为石英。3.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材为矽玻璃。4.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材表面还包括一抗反光层。5.如申请专利范围第4项所述之光罩制造方法,其中该抗反光层包括二氧化铬。6.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中形成该透明层系以化学气相沉积法进行。7.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中该透明层为矽氧化物。8.知申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中形成该遮蔽层系以化学气相沉积法进行。9.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中形成该遮蔽层系以物理气相沉积法进行。10.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中去除该遮蔽层系以乾式蚀刻法进行。11.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中研磨该遮蔽层与该透明层块系以化学机械研磨法进行。12.如申请专利范围第1项所述之光罩制造方法,其中去除该透明层系以乾式蚀刻法进行。13.一种光罩制造方法,包括:提供一可透光底材;在该可透光底材上形成一透明层;定义该透明层,暴露出部份该可透光底材,以形成一透明层块;形成一遮蔽层,覆盖该透明层块与该可透光底材;研磨该遮蔽层,直到暴露出该透明层块;去除该遮蔽层,直到暴露出该可透光底材;以及去除该透明层,直到暴露出该可透光底材。14.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材为石英。15.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材为矽玻璃。16.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中在该可透光底材上形成该透明层系以化学气相沉积法进行。17.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中该透明层为矽氧化物。18.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中形成该遮蔽层系以化学气相沉积法进行。19.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中形成该遮蔽层系以物理气相沉积法进行。20.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中研磨该遮蔽层与该透明层块系以化学机械研磨法进行。21.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中去除该遮蔽层系以乾式蚀刻法进行。22.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中去除该透明层系以乾式蚀刻法进行。23.如申请专利范围第13项所述之光罩制造方法,其中该可透光底材表面还包括一抗反光层。24.如申请专利范围第23项所述之光罩制造方法,其中该抗反光层包括二氧化铬。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知的光罩制造方法流程剖面图。第二图A至第二图E是本发明一较佳实施例的一种光罩制造方法流程剖面图。
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