| 主权项 |
1.一种半导体雷射二极体,其包括有:由第1导电型之AlGaAsP或AlGaAs所成的第1包层,由第1导电型之AlGaInP或AlInP所成且厚度至0.5m的第2包层,由AlGaInP或GaInP所成的活性层,由第2导电型之AlGaInP或AlInP所成且厚度至0.5m的第3包层,而各该层系依上述次序而被堆叠,而且其包括有:由第2导电型之AlGaAsP或AlGaAs所成的第4包层,以及用来局限该活性层中之电流的电流阻止层,该电流阻止层之折射率小于形成电流路径的一隆起线构造部份之折射率。2.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,在第1包层及第4包层中,p型之层为AlCaAsP或AlGaAs层,且该p型层包含碳作为浸渍不纯物者。3.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,在第2包层及第3包层之中,p型之层为AlGaAsP或AlGaAs层,且该p型层为包含铍及/或镁作为浸渍不纯物者。4.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,作为n型浸渍不纯物系使用矽者。5.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,发光波长为550-690nm者。6.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,活性层之厚度为未满0.1m者。7.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,该第1包层及/或第4包层具有由AlGaAsP或AlGaAs所成之隆起线构造,在该隆起线构造之左右具备有电流阻止层者。8.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,该电流阻止层与所接触之包层成为逆转电型或高电阻半导体者。9.如申请专利范围第1项之半导体雷射二极体,其中,该电流阻止层接触于由AlGaAs所成之隆起线侧壁及由AlGaInP或AlInP所成之底面者。图式简单说明:第一图为先前之发光二极体一例之说明图,第二图为先前之雷射二极体一例之说明图,第三图为本发明之半导体发光装置之一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaAsP化合物所成之第4包层之半导体发光二极体之说明图,第四图为本发明之半导体发光装置之其他一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaP或GaP所成之光取出层之半导体发光二极体之说明图,第五图为本发明之半导体发光装置之一例,系邻接第3包层而设有由第2导电性之AlGaAsP化合物所成之第4层,且设有使对活性层之电流紧束用之电流阻止层之雷射二极体之说明图,第六图为说明本发明雷射二极体制造方法之图,第七图为说明本发明雷射二极体制造方法之图,及第八图为说明本发明雷射二极体制造方法之图。 |
