发明名称 |
AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种日盲型紫外探测器及其制备方法,包括衬底和缓冲层,所述缓冲层的上面设置有吸收层,吸收层的上面设置有SiO2层和肖特基接触电极。制备步骤包括,在缓冲层上面,采用金属有机化学气相沉积方法生长一层非故意掺杂的非故意掺杂的300nm厚的n-Al0.6Ga0.4N吸收层,载流子浓度约为8×1015cm-3;再沉积SiO2层、制作肖特基接触金属电极、再电镀压焊点、划片、引线键合、封装。本发明的特点在于器件的响应波长为200~272nm,在日盲范围内。 |
申请公布号 |
CN102361046A |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN201110294679.6 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
张世林;谢生;毛陆虹;郭维廉;卲会民 |
分类号 |
H01L31/101(2006.01)I;H01L31/108(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/101(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
曹玉平 |
主权项 |
一种AlGaN基MSM结构日盲型紫外探测器,包括衬底(10)和设置在衬底(10)上面的缓冲层(11),其特征在于,所述缓冲层(11)的上面设置有吸收层(12),该吸收层(12)为非故意掺杂的300nm厚的n‑Al0.6Ga0.4N层,载流子浓度约为8×1015cm‑3,吸收层(12)的上面设置有SiO2层(13)和肖特基接触电极(14)。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |