| 主权项 |
1.一种DRAM晶格配置,其特征为:在基体中以积体方式设置许多动态自动放大之储存晶格;每一储存晶格包含一选择电晶体及一储存电晶体,选择电晶体形成平面式之MOS电晶体,储存电晶体则形成垂直式之MOS电晶体;选择电晶体及储存电晶体经由共同之源极/汲极区域(25)而互相连接;储存电晶体之源极/汲极区(21)与供电电压导线相连接;选择电晶体之源极/汲极区(212)与位元线相连接;选择电晶体之闸极电极(211)与字线相连接;储存电晶体具体由掺杂之矽所构成之闸极电极(26),其至少沿着沟槽(23)之一边缘而配置;在沟槽(23)中配置由相反导电型所掺杂之矽结构(28),此矽结构(28)与储存电晶体之闸极电极(26)形成一个二极体且经由接触区(215)而与共同之源极/汲极区域(25)相连接。2.如申请专利范围第1项之DRAM晶格配置,其中在储存电晶体之闸极电极(26)和矽结构(28)之间配置介电层(27)。3.如申请专利范围第1或第2项之DRAM晶格配置,其中储存电晶体之闸极电极(16)和矽结构(18)各形成间隔层,这些间隔层设置在沟槽(13)之边缘。4.如申请专利范围第1或第2项之DRAM晶格配置,其中在基体(21)中设置许多基本上为平行延伸之纵向沟槽(23),以矩阵形式配置这些储存晶格,使相邻之储存晶格的储存电晶体和纵向沟槽(23)之相对边缘相邻接,且相邻之储存晶格的选择电晶体经由共同之源极/汲极区域(212)而互相连接,共同之源极/汲极区域(212)则与共同之位元线相连接,垂直于纵向沟槽(23)之方向设置绝缘沟槽(218),此绝缘槽(218)沿着纵向沟槽(23)而将相邹之储存晶格互相绝缘。5.如申请专利范围第1或第2项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(18)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(15)之间藉以高温熔化金属填入之接触孔来制成该接触区(115)。6.如申请专利范围第3项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(18)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(15)之间藉以高温熔化金属填入之接触孔来制成该接触区(115)。7.如申请专利范围第4项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(18)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(15)之间藉以高温熔化金属填入之接触孔来制成该接触区(115)。8.如申请专利范围第1或第2项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(28)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(25)之间藉由金属矽化物构成之结构来制成该接触区(215)。9.如申请专利范围第3项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(28)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(25)之间藉由金属矽化物构成之结构来制成该接触区(215)。10.如申请专利范围第4项之DRAM晶格配置,其中在矽结构(28)以及选择电晶体和储存电晶体之共同源极/汲极区域(25)之间藉由金属矽化物构成之结构来制成该接触区(215)。图式简单说明:第一图显示动态自动放大储存晶格之切面图,具有一储存电晶体,其闸极电极形成间隔层且以环形舖设此沟槽之边缘。第二图显示第一图中所示自动放大储存晶格之俯视图。第三图显示动态自动放大储存晶格之切面图,具有一储存电晶体,其系沿着纵向沟槽之边缘而配置。第四图显示第三图中所示自动放大储存晶格之俯视图。第五图显示本发明之电路接线图。 |
