| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容的制造方法,适用于一具有开关元件之半导体基底上制造上述电容,而上述制造方法包括下列步骤 :于上述基底上形成一介电层;在上述介电层中形成一可连通至上述开关元件之接触窗;在上述接触窗上形成一第一导电层,藉以和上述开关元件形成电性连接;在上述第一导电层对准上述接触窗之上方处形成一光阻图案;在上述光阻图案之侧壁形成一矽化光阻间隔物;移除上述光阻图案;以上述矽化光阻间隔物为罩幕,蚀刻上述第一导电层至一既定深度,而形成第一导电柱;在上述第一导电柱之侧壁上形成一介电间隔物;在上述介电间隔物之侧壁和上述第一导电层上形成一第二导电柱;以上述第一和第二导电柱及上述介电间隔物为罩幕,蚀刻上述第一导电层以界定出上述电容之范围;移除上述介电间隔物,而形成上述电容之下电极;在上述下电极上形成一第二介电层;在上述第二介电层上形成上述电容之上电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述矽化光阻间隔物系经矽化上述光阻图案之表面,形成覆盖上述光阻图案之矽化光阻层后,再回蚀上述矽化光阻层而形成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述矽化光阻层系将上述光阻图案置于充满含矽化合物之环境下行矽化反应,然后再将上述已矽化之光阻置于含氧之环境中而形成。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述含矽化合物为六甲基二矽烷 (hexamethyldisikane)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一导电层可为一复晶矽层,其厚度约500~4000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电间隔物为氧化矽、硼磷矽玻璃、硼矽玻璃、磷矽玻璃或氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电间隔物系在上述第一导电柱上形成一介电层后,回蚀上述介电层而形成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二导电柱可为一复晶矽柱。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二导电柱系形成一导电层覆盖上述第一导电柱、上述介电间隔物、和上述第一导电层后,回蚀上述导电层至上述第一导电层而形成。10.一种动态随机存取记忆体之电容之制造方法,适用于一具有开关元件之半导体基底上制造上述电容,而上述制造方法包括下列步骤 :于上述基底上形成一介电层;在上述介电层中形成一可连通至上述开关元件之接触窗;在上述接触窗上形成一第一导电层,藉以和上述开关元件形成电性连接;在上述第一导电层上形成一光阻图案,以定义出上述电容之范围;矽化上述光阻图案之表面,形成一覆盖上述光阻图案之矽化光阻层;回蚀上述矽化矽化光阻层,以露出未矽化光阻图案之顶端表面;移除上述未矽化光阻图案,形成一矽化光阻间隔物;以上述矽化光阻间隔物为罩幕,蚀刻上述第一导电层,形成第一导电柱;在上述第一导电柱之侧壁上形成一介电间隔物;在上述介电间隔物之侧壁和第一导电层上形成一第二导电柱;以上述第一和第二导电柱及上述介电间隔物为罩幕,蚀刻上述第一导电层以界定出上述电容之范围;移除上述介电间隔物,而形成上述电容之下电极;在上述第一电极上形成一第二介电层;在上述第二介电层上形成上述电容之上电极。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述矽化光阻层系将上述光阻图案置于充满含矽化合物之环境下行矽化反应,然后再将上述已矽化之光阻置于含氧之环境中而形成。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述含矽化合物为六甲基二矽烷。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一导电层可为一复晶矽层,其厚度500~4000埃之间。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述上述介电间隔物为氧化矽、硼磷矽玻璃、硼矽玻璃、磷矽玻璃或氮化矽。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述上述介电间隔物系在上述第一导电柱上形成一介电层后,回蚀上述介电层而得。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第二导电柱可为一复晶矽层,其厚度约500~3000埃之间。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述上述第二导电柱系形成一导电层覆盖上述第一导电柱、上述介电间隔物、和上述第一导电层后,回蚀上述导电层至上述第一导电层而得。18.一种利用矽化光阻间隔物为罩幕之蚀刻方法,上述方法包括下列步骤;形成一蚀刻层;在上述蚀刻层上形成一光阻图案;在上述光阻图案之侧壁上形成上述矽化光阻间隔物;去除上述光阻图案;以上述矽化光阻间隔物为罩幕,蚀刻上述蚀刻层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述矽化光阻间隔物系在上述光阻图案上形成矽化光阻层后,再回蚀上述矽化光阻层而形成。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述矽化光阻层系将上述光阻图案置于充满含矽化合物之环境下行矽化反应,然后再将上述已矽化之光阻置于含氧之环境中而形成。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述含矽化合物为六甲基二矽烷。 |
