发明名称 | 具有以锯法完成的台面结构的半导体芯片 | ||
摘要 | 选用已知导电类型的内有平行于晶片主基面的平面p-n结的半导体晶片,晶片的一表面上覆盖一层氮化硅掩模层。穿过掩模锯出多个相交的槽,形成多个具有斜壁的台面,每个台面中都有一部分平面p-n结,其边缘与其侧壁相交且露在侧壁上。槽壁和裸露的p-n结边缘在将晶片加热的工艺中被玻璃包封,在无需制版的腐蚀剂掩模的选择腐蚀工艺条件下去除掩模层,露出台面顶部的硅表面,并将晶片两面镀金属。沿着通过槽的面切割晶片,制成单个芯片,每个芯片上有玻璃钝化的台面。 | ||
申请公布号 | CN1250223A | 申请公布日期 | 2000.04.12 |
申请号 | CN99103217.9 | 申请日期 | 1999.03.26 |
申请人 | 通用半导体公司 | 发明人 | 吴旭轩;安约翰;陈健煌;威廉·赫拉德·艾因特霍芬;谭湘瑜;劳伦斯·尤金·拉泰尔扎;格雷戈里·扎卡路克;丹尼斯·卡比斯 |
分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;穆德骏 |
主权项 | 1.一种制造具有台面结构的半导体芯片的方法,包括以下各步骤:提供一其内具有平面p-n结的硅晶片,该结平行于晶片的第1表面和第2表面;用氮化硅掩摸层覆盖所说的第1表面;通过将槽锯进但仅锯到所说的晶片的一部分,形成其斜壁与所说的p-n结交接的台面;用玻璃第1钝化材料层包封所说的台面斜壁和p-n结被所说的壁交接的部位;其后,去除所说的掩摸层,露出所说的晶片第1表面,作为所说的台面的上表面,同时,至少留下所说的玻璃层在间隔中的部分;然后,给所说的台面上表面和所说的晶片第2表面镀上金属。 | ||
地址 | 美国纽约 |