| 主权项 |
1.一种离子植入器,其包含:一离子源供产生待植入晶圆之离子束;一前分析磁铁供防止离子束之非所欲离子通过;一加速器供加速离子束;一后分析磁铁供防止被加速离子束内之非所欲离子通过;及一杂质截取器架设于加速器与后分析磁铁间,供截取于加速器产生的杂质以防杂质通过后分析磁铁。2.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该加速器为衔接式加速器。3.如申请专利范围第1项之离子植入器,其中该杂质截取器包括一高压电源,及一截取板其电连接至高压电源之输出埠且安装于离子路径。4.如申请专利范围第3项之离子植入器,其中来自高压电源之高电压输出以浮动电压形式施加至截取板。5.如申请专利范围第3项之离子植入器,其中该截取板有一孔成形于其中央供允许离子束通过。6.一种离子植入器,其包含:一离子源供产生待植入晶圆之离子束;一前分析磁铁供防止离子束之非所欲离子通过;一加速器供加速离子束;一后分析磁铁供防止被加速离子束内之非所欲离子通过;及一杂质截取器架设于后分析磁铁间输出后方,供截取于加速器产生的杂质以防杂质通过后分析磁铁。7.如申请专利范围第6项之离子植入器,其中该加速器为衔接式加速器。8.如申请专利范围第6项之离子植入器,其中该杂质截取器包括一高压电源,及一截取板其电连接至高压电源之输出埠且安装于离子路径。9.如申请专利范围第8项之离子植入器,其中来自高压电源之高电压输出以浮动电压形式施加至截取板。10.如申请专利范围第8项之离子植入器,其中该截取板有一孔成形于其中央供允许离子束通过。11.一种离子植入器,其包含:一离子源供产生待植入晶圆之离子束;一前分析磁铁供防止离子束之非所欲离子通过;一加速器供加速离子束;一后分析磁铁供防止被加速离子束内之非所欲离子通过;及一杂质截取器架设于加速器出口部份,供截取于加速器产生的杂质以防杂质通过后分析磁铁。12.如申请专利范围第11项之离子植入器,其中该加速器为衔接式加速器。13.如申请专利范围第11项之离子植入器,其中该杂质截取器包括一高压电源,及一截取板其电连接至高压电源之输出埠且安装于离子路径。14.如申请专利范围第13项之离子植入器,其中来自高压电源之高电压输出以浮动电压形式施加至截取板。15.如申请专利范围第13项之离子植入器,其中该截取板有一孔成形于其中央供允许离子束通过。图式简单说明:第一图为习知离子植入器之方块图;第二图为根据本发明之第一具体例之离子植入器之方块图;第三图为根据本发明之杂质截取器之剖面图;第四图为根据本发明之杂质截取器之细节图;第五图为根据本发明之第二具体例之离子植入器之方块图;第六图为根据本发明之第三具体例之离子植入器之方块图;及第七图为第六图之杂质截取器之剖面图。 |
