| 主权项 |
1.一种含氮化钛层之半导体元件的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上已形成有一电晶体,该电晶体包括一闸极与一源极/汲极区;在该半导体基底上沈积一绝缘层;蚀刻该绝缘层,形成一开口,露出该源极/汲极区;在露出之该源极/汲极区上沈积一氮化钛层,该氮化钛层呈颗粒状的分布;在上述各层上沈积一金属层;以及进行加热步骤,使得该金属层与该半导体基底的矽反应,而形成一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该半导体基底包括矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该半导体基底包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该半导体基底包括非晶矽,其形成方法可用高能量的离子束打入矽基底而形成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该氮化钛层的厚度在0.5nm到2nm之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该氮化钛层系利用物理气相沈积法。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层系利用物理气相沈积法。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层包括金属钛。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该加热步骤系为快速加热制程法。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛层。11.一种含氮化钛层之半导体元件之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一氮化钛层,该氮化钛层呈颗粒状的分布;以及在上述各层上覆盖一金属层;进行加热步骤,使得该金属层与该半导体基底的矽反应,而形成一金属矽化物层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该氮化钛层的厚度在0.5nm到2nm之间。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示的为习知一种自动对准金属矽化物的制程步骤之剖面示意图;第二图A至第二图D绘示根据本发明之一较佳实施例,一种含氮化钛层之半导体元件制程步骤之剖面示意图;以及第三图绘示根据本发明之另一较佳实施例,一种含氮化钛层之半导体元件之剖面示意图。 |
