| 主权项 |
1.一种在基底之第一主动区和第二主动区分别制造光二极体以及至少一MOS元件之方法,其步骤包括:(a)形成一闸极结构于该第二种主动区之基底上;(b)利用该闸极结构为罩幕,将第一掺杂物导入该基底内,并在该第二主动区内形成淡掺杂区;(c)形成一扩散区于该第一主动区之基底内;(d)形成一绝缘层覆盖该第一主动区和该第二主动区;(e)于该第二主动区内定义出一小块该绝缘层,作为该闸极结构边墙之侧壁子;以及(f)以该闸极结构和该边墙侧壁子作为罩幕,将第二掺杂物导入该第二主动区之基底内,并形成一浓掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层包括有厚度约1000-1500埃之氧化矽。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在步骤(d)和步骤(e)间更可包括一使该绝缘层变薄之步骤。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该变薄的绝缘层厚度约为300-700埃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极结构包括有一闸极和一闸极绝缘层。。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤(a)中更可包括形成另一闸极结构于该第一主动区内之基底上的步骤。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中在该步骤(b)中是以该闸极结构作为罩幕,然后将第一掺杂物导入该第一和第二主动区中。8.一种在基底之第一主动区、第二主动区和第三主动区分别制造光二极体、第一MOS元件和第二MOS元件之方法,其步骤包括:(a)分别形成一第一闸极结构和一第二闸极结构于该第二种主动区和该第三主动区之基底上;(b)利用该第一闸极结构为罩幕,将第一掺杂物导入该基底内,并在该第二主动区内形成淡掺杂区;(c)形成一扩散区于该第一主动区之基底内;(d)利用该第二闸极结构为罩幕,将第二掺杂物导入该基底内,并在该第三主动区内形成淡掺杂区;(e)形成一绝缘层覆盖该第一主动区和该第二主动区;(f)于该第二主动区内定义出一小块该绝缘层,作为该第一闸极结构之第一边墙侧壁子;(g)以该第一闸极结构和该第一边墙侧壁子作为罩幕,将第三掺杂物导入该第二主动区之基底内,并形成一第一浓掺杂区;(h)于该第三主动区内定义出另一小块该绝缘层,作为该第二闸极结构之第二边墙侧壁子;以及(i)以该第二闸极结构和该第二边墙侧壁子作为罩幕,将第三掺杂物导入该第三主动区之基底内,并形成一第二浓掺杂区。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘层包括有厚度约1000-1500埃之氧化矽。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中在步骤(e)和步骤(f)间更可包括一使该绝缘层变薄之步骤。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该变薄的绝缘层厚度约为300-700埃。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该闸极结构包括有一闸极和一闸极绝缘层。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤(a)中更可包括形成一第三闸极结构于该第一主动区内之基底上的步骤。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中在该步骤(b)中是以该第三和该第一闸极结构作为罩幕,然后将第一掺杂物分别导入该第一和第二主动区中。图式简单说明:第一图A-第一图H是剖面制造流程图,其所显示的是一种习知用以制造合有一个光二极体、一NMOS电晶体和一PMOS电晶体的制程。第二图A-第二图I是剖面制造流程图,其所显示的是根据本发明之一较佳实施例用以制造合有一个光二极体、一NMOS电晶体和一PMOS电晶体的制程。 |
