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<p>Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiter-Festwertspeichern ROM -, bei dem Source- und Drainzonen von MOS-Speichertransistoren bildende dotierte Bitleitungen (13) und metallische Leiterbahnen (17) für diese zu Gateelektrodenstrukturen (14) und die Gateelektrodenstrukturen (14) zu metallischen Wortleitungen (20, 21) jeweils selbstjustiert hergestellt werden.</p> |
