| 主权项 |
1.一种防止晶圆刻号在平坦化制程被遮蔽的制造方法,应用于金属插塞制程,其包括下列步骤:提供一包括一晶圆刻号区域及一元件区域的晶圆;在该晶圆上形成一介电层覆盖该晶圆刻号区域及该元件区域;在该介电层中定义出位于该元件区域之一开口;形成一金属层覆盖该介电层,并填满该开口;以及进行一化学机械研磨制程至暴露出该介电层表面为止,并在该开口形成一插塞。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层材质为可透明材质。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该介电层材质为二氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层材质为不透明材质。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层材质为钨。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层材质为铜。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属层材质为铝。8.一种防止晶圆刻号在平坦化制程被遮蔽的制造方法,应用于双重金属镶嵌制程,其包括下列步骤:提供一包括一晶圆刻号区域及一元件区域的晶圆;在该晶圆上形成一介电层覆盖该晶圆刻号区域及该元件区域;在该介电层中形成位于该元件区域之一第一开口及一第二开口,其中该第二开口位于该第一开口上方;形成一金属层覆盖该介电层,并填满该第一开口及该第二开口;以及进行一化学机械研磨制程至暴露出该介电层表面为止。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该介电层系由复数层介电层组成。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该介电层材质为可透明材质。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该介电层材质为二氧化矽。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该金属层材质为不透明材质。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该金属层材质为钨。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该金属层材质为铜。15.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该金属层材质为铝。图式简单说明:第一图系绘示习知制程中,晶圆刻号区域的剖面示意图;第二图系绘示进行CMP制程后晶圆刻号区域的剖面示意图;以及第三图A至第三图F绘示根据本发明一较佳实施例之防止晶圆刻号在平坦化制程被遮蔽的制造方法制程剖面示意图。 |
