| 主权项 |
1.一种固态影像装置,其对应至画面传输型式或全画面传输型式,其特征为其包括:配置于半导体基板上的多数个光电转换区域以及用于将每一个光电转换区域分开的多数个通路终止区域;以及透过一个第一绝缘膜而形成于该多数个光电转换区域以及许多数个通路终止区域上方的一些透明电极;其中该固态影像装置更包括一个反反射膜,系形成于落在该光电转换区域上方各该透明电极中的至少一个部位之上。2.一种固态影像装置,其对应至画面传输型式或全画面传输型式,其特征为其包括:配置于半导体基板上的多数个光电转换区域以及用于将每一个光电转换区域分开的多数个通路终止区域;以及透过一个第一绝缘膜而形成于该多数个光电转换区域以及许多数个通路终止区域上方的一些透明电极;其中该固态影像装置也包括一个反反射膜,其折射指数是落在该透明电极与为覆盖各该透明电极而形成的第二绝缘膜这两个折射指数之间的一个中间折射指数,且此反反射膜系形成于落在该光电转换区域上方各该透明电极中至少一个部位之上与覆盖住该透明膜的第二绝缘膜之间的一个界面上。3.如申请专利范围第1项之固态影像装置,其中落在该光电转换区域上方该透明电极中某一部位的厚度是比该透明电极上其他面积的厚度更薄。4.如申请专利范围第1项之固态影像装置,其中该光防护膜是形成于该透明电极上除此该光电转换区域上方面积以外的区域上。5.一种固态影像装置,其对应至画面传输型式或全画面传输型式,其特征为其包括:配置于半导体基板上的多数个光电转换区域以及用于将每一个光电转换区域分开的多数个通路终止区域;以及透过一个第一绝缘膜而形成于该多数个光电转换区域以及许多数个通路终止区域上方的一些透明电极;其中该固态影像装置也包括:一个光防护膜,系形成于该透明电极上除此该光电转换区域上方表面以外的表面上。6.一种固态影像装置,其对应至画面传输型式或全画面传输型式,其特征为其包括:配置于半导体基板上的多数个光电转换区域以及用于将每一个光电转换区域分开的多数个通路终止区域;以及透过一个第一绝缘膜而形成于该多数个光电转换区域以及许多数个通路终止区域上方的一些透明电极;其中所形成落在该光电转换区域上方该透明电极的厚度是比该透明电极上其他面积的厚度更薄。7.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部位转化成一个具有其薄电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具个第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个透明电极;以及形成一个其折射指数小于落在该透明电极的一个部位或整个表面上之透明膜折射指数的反反射膜。8.如申请专利范围第7项之制造固态影像装置之方法,其中于形成该反反射膜的制造步骤中,最好是在该透明电极位于该光电转换区域上方的一个面积上形成此反反射膜。9.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部化转化成一个具有其导电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具有第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个透明电极;以及去除该光电转换区域上方的一个透明电极使得该光电转换区域上方一个部位或整个该透明电极的厚度比该透明电极其他面积上的厚度更薄。10.如申请专利范围第9项之制造固态影像装置之方法,其中该方法更包括以下步骤:去除该光电转换区域上方的一个透明电极使得该光电转换区域上方一个部位或整个该透明电极的厚度比该透明电极其他面积上之厚度更薄的后续步骤;以及于该透明电极的一个部位或整个表面上形成一个其折射指数小比该透明电极之折射指数更小的反反射膜。11.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部化转化成一个具有其导电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具有第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个由多晶矽构成的透明电极;于该透明电极上淀积一个高融点金属膜;藉由热处理法在高融点金属上一个与该透明电极接触的部位形成一个由该高融点金属构成的矽化物;以及去除末转化为金属矽化物的该高融点金属膜。12.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部位转化成一个具有其导电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具有第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个由多晶矽构成的透明电极;于该透明电极上淀积一个高融点金属膜;藉由热处理法在高融点金属上一个与该透明电极接触的部位形成一个由该高融点金属构成的矽化物;以及去除化于该光电转换区域上方的该高融点金属膜或金属矽化物。13.如申请专利范围第7项之制造固态影像装置之方法,其中该方法更包括以下步骤:在形成反反射膜之后;于该透明电极上形成一个高融点金属膜藉由热处理法在高融点金属上一个与该透明电极接触的部分形成一个由该高融点金属构成的矽化物;以及去除未转化为金属矽化物的该高融点金属膜。14.如申请专利范围第7项之制造固态影像装置之方法,其中该方法更包括以下步骤:在形成反反射膜之后;于该透明电极上形成一个高融点金属膜藉由热处理法在高融点金属上一个与该透明电极接触的部分形成一个由该高融点金属构成的矽化物;以及去除位于该光电转换区域上方的该高融点金属膜或金属矽化物。15.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部位转化成一个具有其导电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具有第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个由多晶矽构成的透明电极;于该透明电极上淀积一个高融点金属膜;藉由热处理法在高融点金属上一个与该透明电极接触的部位形成一个由该高融点金属构成的矽化物;去除位于该光电转换区域上方的该高融点金属膜或金属矽化物;以及形成一个其折射指数小于位于该光电转换区域上方该透明电极表面上透明膜之折射指数的反反射膜。16.一种制造固态影像装置之方法,其特征为其包括以下步骤:藉由离子植入法将半导体基板表面上一个具有第一导电型式的部位转化成一个具有其导电型式与该第一导电型式相反之第二导电型式的区域而形成多数个光电转换区域;形成多数个具有第一导电型式而使该多数个光电转换区域分开的通路终止区域;于该半导体基板上形成一个绝缘膜;于该绝缘膜上形成一个由多晶矽构成的透明电极;于该透明电极上淀积一个高融点金属膜;以及去除位于该光电转换区域上方的该金属膜。17.如申请专利范围第7项之制造固态影像装置之方法,其中该方法更包括以下步骤:在形成反反射膜之后;于该透明电极表面上淀积一个金属膜;以及去除位于该光电转换区域上方的该金属膜。18.如申请专利范围第16项之制造固态影像装置之方法,其中该方法更包括以下步骤:在形成反反射膜之后;形成一个其折射指数小于位于该光电转换区域上方该透明电极表面上透明膜之折射指数的反反射膜。图式简单说明:第一图系用以显示一种根据本发明第一实施例中CCD型式固态影像装置之结构的平面图示。第二图显示的是沿第一图之A-A线段所取的横截面图示。第三图显示的是沿第一图之B-B线段所取的横截面图示。第四图A-第四图D系用以显示一种根据本发明第一实施例中CCD型式固态影像装置之制造程序的横截面图示。第五图系用以显示一个根据本发明第二实施例中CCD型式固态影像装置之结构的横截面图示。第六图A-第六图D系用以显示一种根据本发明第二实施例中CCD型式固态影像装置之制造程序的横截面图示。第七图系用以显示一种由画面传输系统操作之习知CCD型式固态影像装置之结构的横截面图示。第八图A和第八图B系用以显示如第七图所示习知CCD型式固态影像装置之制造程序的横截面图示。 |
