| 摘要 |
본 발명은 실리콘 기판에, 급속가열·급속냉각 장치를 이용하여, 질화막형성분위기 가스, 희가스 및 산화성 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 포함하는 제 1 분위기에서, 1300℃보다 높고 실리콘 융점 이하의 제 1 온도에서 1-60 초 유지하여 급속 열처리를 실시하는 제 1 열처리 공정; 상기 제 1 열처리 공정에 이어서, 상기 실리콘 기판 내부의 공공(空孔)으로 인한 결함의 발생을 억제하는 제 2 온도 및 제 2 분위기로 제어하고, 상기 실리콘 기판에 상기 제어한 제 2 온도 및 제 2 분위기에서 급속 열처리를 실시하는 제 2 열처리 공정을 구비하는 실리콘 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 이에 따라, 디바이스 제작 영역이 되는 표면으로부터 적어도 1㎛의 깊이에 산소 석출물, COP, OSF 등 RIE에 의해 검출되는 결함(RIE 결함)이 존재하지 않고, 한편, 수명이 500μsec 이상인 실리콘 기판의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 실리콘 기판이 제공된다. |
