发明名称 气态基质的脱硫方法
摘要 一种包含O2、SO2、S03、H2SO4、H2S、CS2、COS及或有机含硫组分之气态基质的脱硫方法。可燃性组分被催化性地氧化成水、二氧化碳、二氧化硫。二氧化硫进一步被催化性地氧化成三氧化硫,在气态基质中有至少相同份量的水存在时,其进一步被水合,并且冷凝成硫酸。该方法在两个串联的反应器中进行,每一个反应器在氧化催化剂层之下载有一层惰性物质。该方法包括在约1至40分钟的期间之后,将反应器中的气体流动方向倒转。该反应器中之氧化催化剂层的温度维持在300至500℃的范围内。进料气体中之硫含量氧化之后,离开反应器之气流的温度至少比制程气体中硫酸露点低50℃。冷凝的硫酸从每一个反应器的底部流出。
申请公布号 TW457121 申请公布日期 2001.10.01
申请号 TW086119288 申请日期 1997.12.19
申请人 哈尔德杜萨公司 发明人 彼得.史古柏
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种包含O2.SO2.SO3.H2SO4.H2S、CS2.COS及/或有机含硫组分之气态基质的脱硫方法,其中可燃性组分被催化性地氧化成H2O、CO2.SO2,而SO2进一步被催化性地氧化成SO3,其在气态基质中有至少相同份量的水存在下,进一步被水合,并且冷凝成硫酸,该方法在至少两个串联的反应器中进行,每一个反应器在氧化催化剂层之下载有一层惰性物质,该方法包括的步骤有:在约1至40分钟的期间之后,将反应器中的气体流动方向倒转;并且维持氧化催化剂层的温度在300至500℃的范围;其中在进料气体中之硫含量氧化之后,离开反应器之气流的温度比气体中硫酸露点至少低50℃;并且冷凝的硫酸从每一个反应器底部流出,其中在两个反应器中的每一个反应器里,该气体质量速度是每小时每平方公尺之反应器截面有1000至10000Nm3;在两个反应器中的每一个反应器里的惰性层,是0.5至5公尺高的抗酸陶瓷体层,其体积对表面比率是1.5至15毫米;硫酸催化剂是支撑在氧化矽载体材质上的氧化钒,并且以硷金属促进过;及反应器之催化剂床的温度的控制,乃藉由,泄放出来热气流的一部分及冷却该泄放出的气体至约400℃,在催化剂反应器中将剩余之SO2转换成SO3,然后进一步冷却该气体至220-290℃,并且最后在该气体与主要气流结合之前,在硫酸冷凝器中冷却至约100℃。2.如申请专利范围第1项的方法,其中维持氧化催化剂层温度的步骤,包括下列至少一个的进一步步骤,加热该气流、冷却该气体、和泄放出最高达20%的该气体。3.如申请专利范围第1项的方法,其中在两个反应器中的每一个反应器里的惰性材质层,是一床抗酸材质的单块体,其具有直径3至20毫米的平行垂直通道。4.根据申请专利范围第6项的方法,其中硷金属是选自钾、钠及铯。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中在气流中加入许多的颗粒,达到气体中每1000ppm的SO3里,有约1010-1012颗/Nm3的浓度,以抑制因惰性床中冷却该气体而造成在硫酸蒸气冷凝时形成硫酸气溶胶的情形。6.根据申请专利范围第8项的方法,其中加至气流的颗粒是以矽酮油在空气流中热燃烧而产生,其空气是被混合至该气体中。图式简单说明:第一图显示一个根据本发明之一较佳具体实施例的单一吸收硫酸工厂。
地址 丹麦