BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法

摘要

BGA基板之导通孔系用于导通基板之上、下两表面之电路层，本发明之导通孔制程系先在一BGA基板表面设置复数个通孔，并在上述通孔之内侧表面镀上一层面铜，之后将高固成份之树脂灌注于通孔之中以形成导通孔结构，再于基板之上、下两表面包括导通孔表面分别镀上一层面铜，对该面铜进行电路蚀刻以形成上、下电路层，使导通孔位在BGA基板之锡球垫中，其中该导通孔系藉由镀在导通孔内侧表面之面铜系做为上、下电路层间导通之通路;并于孔面上铜做为锡球垫。本发明提供之导通孔在锡球垫中之制程一则可增加布线的面积利用率，二则导通孔上下两面因孔被塞满并镀上面铜，其平整性较佳可做为增层法之核心层。

主权项

1.一种BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其步骤包括:(a)提供一基板,其中该基板在其表面设置复数个贯穿基板之通孔;(b)在上述通孔之内侧表面镀上一层面铜;(c)将树脂灌注于上述通孔之中,以形成导通孔;(d)在该导通孔之树脂上下表面与基板之上、下侧表面分别镀上一层面铜;(e)以蚀刻方式对基板之上、下侧表面之面铜进行蚀刻以形成上、下电路层。2.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其步骤(a)所提供之基板系为绝缘材质。3.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其步骤(a)系以钻孔方式形成复数个通孔。4.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其步骤(c)灌注于基板之通孔之树脂系为高固成份之树脂。5.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其中步骤(c)灌注于基板之通孔之树脂表面系用刷磨方式整平,其步骤(c)灌注于基板通孔之树脂系为不导电之树脂。6.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其步骤(d)在将面铜镀于树脂之上、下表面之前,系先对树脂表面进行表面粗化,以增加面铜之附着力。7.如申请专利范围第1项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其中步骤(c)系以刷磨及喷砂方式对导通孔之树脂表面进行表面粗化。8.如申请专利范围第6项所述BGA基板之导通孔在锡球垫中(Via in pad)之制程方法,其中步骤(d)将面铜镀于导通孔与基板上下表面之前,先用直接电镀方式(Direct plating)镀上一层薄膜。图式简单说明:第一图系BGA基板结构之示意图。第二图A-第二图C系习知技术之导通孔制程示意图。第三图A-第三图E系本发明之BGA基板之导通孔在锡球垫中(via in pad)示意图。第四图系本发明之BGA基板结构之示意图。第四图A系本发明之导通孔在锡球垫之结构示意图。