| 主权项 |
1.一种半导体装置,各载有半导体元件之许多半导体基体被接合在一起,其中:一绝缘层被放置在各半导体基体上,形成一连接电线通过该绝缘层,用于连接至该半导体元件上之电线层;且其中:由导电材料制成的导电层,藉着与该连接电线对齐而成型以具有一开口,被形成在至少一个半导体基体之接面表面上;该半导体基体被接合在一起,以相互连接在各半导体基体上所形成之连接电线。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该半导体基体藉固态接合技术被接合在一起。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:一导电层形成在欲被接合在一起的成对半导体基体之接面表面上,且其中:金属材料构成被接合在一起之这些导电层。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:一导电层形成于欲被接合在一起的成对半导体基体的其中之一之接面表面上,且其中:被接合在一起之相对侧半导体基体是导电层与绝缘层。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中:导电层放置于两个绝缘层之间。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该导电层操作为一接地层。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该导电层操作为一电源层。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该导电层被电气地连接至半导体元件。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:形成于该导电层中的开口之内直径大于形成在该绝缘层中的开口之内直径。10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中:接面表面上彼此连接的连接电线与导电层绝缘,藉着将绝缘材料嵌入于该导电层中的开口中。11.一种制造半导体装置之方法,在此半导体装置中各载有半导体元件之许多半导体基体被接含在一起,此方法包含以下步骤:放置一绝缘层于一半导体基体上,且形成一连接电线,连接至该绝缘层中之半导体元件的电线层;形成导电材料制成的导电层,在许多半导体基体的至少其中之一之接面表面上具有一开口,藉对齐该连接电线之成型而形成;平滑各半导体基体之接面表面;及从彼此放置的半导体基体之两侧施加一压缩负载,以相互连接半导体基体及相互连接形成于各半导体基体中的连接电线。图式简单说明:第一图是一剖面图,指出依据本发明的半导体装置之实施例,且特别地指出在统一连接之前的状态。第二图是一剖面图,指出第一图之半导体装置连接与统一的状态。第三图是一剖面图,指出依据本发明的半导体装置之另一个实施例,且特别地指出在统一连接之前的状态。第四图是一剖面图,指出第三图之半导体装置连接与统一的状态。第五图是一剖面图,指出依据本发明的半导体装置之另外一个实施例,且特别地指出在统一连接之前的状态。第六图是一剖面图,指出第五图之半导体装置连接与统一的状态。第七图是一图形,指出对一外部驱动电路的连接构造。第八图是一图形,指出对一外部驱动电路的另一连接构造。第九图A至第九图G是剖面图,一步步地指出固态接合之制造处理。第十图A至第十图I是剖面图,一步步地指出固态接合之另一制造处理。第十一图是一图形,指出作为应用的平坦面板电脑。第十二图是一图形,指出藉晶片上晶片(chip-on-chip),相互连接不同规格之LSI的系统LSI相互连接处理。 |
