| 主权项 |
1.一种应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,系应用于清洗一具有双重金属镶嵌开口之结构,包括下列步骤:配制一第一化学溶液,该第一化学溶液的成分包括去离子水、双氧水与一界面活性剂;配制一第二化学溶液,该第二化学溶液的成分包括去离子水、氟化氢与氯化氢;使用该第一化学溶液清洗该具有双重金属镶嵌开口之结构,以去除该双重金属镶嵌开口中的微粒与聚合物;以及使用该第二化学溶液清洗该具有双重金属镶嵌开口之结构,以去除该双重金属镶嵌开口中的氧化物。2.如申请专利范围第1项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第一化学溶液之组成比一去离子水:双氧水:该界面活性剂约等于80:2.2:1.4。3.如申请专利范围第1项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第一化学溶液之时间约为8至12分钟。4.如申请专利范围第1项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第二化学溶液之组成比一去离子水:氟化氢:氯化氢约等于600:1:2.5。5.如申请专利范围第1项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第二化学溶液之时间约为2至5分钟。6.一种应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,系应用于清洗一具有双重金属镶嵌开口之结构,包括下列步骤:配制一第一化学溶液,该第一化学溶液的成分包括去离子水、氟化氢与氯化氢;配制一第二化学溶液,该第二化学溶液的成分包括去离子水、双氧水与一界面活性剂;使用该第一化学溶液清洗该具有双重金属镶嵌开口之结构,以去除该双重金属镶嵌开口中的氧化物;以及使用该第二化学溶液清洗该具有双重金属镶嵌开口之结构,以去除该双重金属嵌开口中的微粒与聚合物。7.如申请专利范围第6项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第一化学溶液之组成比一去离子水:氟化氢:氯化氢约等于600:1:2.5。8.如申请专利范围第6项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该一化学溶液之时间约为2至5分钟。9.如申请专利范围第6项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第二化学溶液之组成比一去离子水:双氧水:该界面活性剂约等于80:2.2:1.4。10.如申请专利范围第6项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第二化学溶液之时间约为8至12分钟。11.一种应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,包括下列步骤:提供一基底,其上具有一介层洞与一沟渠之一介电层;使用一第一化学溶液清洗该铜金属层、该介层洞与该沟渠之表面,该第一化学溶液的成分包括去离子水、双氧水与一界面活性剂;以及使用一第二化学溶液清洗该铜金属层、该介层洞与该沟渠之表面,该第二化学溶液的成分包括去离子水、氟化氢与氯化氯氢。12.如申请专利范围第11项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第一化学溶液之组成比一去离子水:双氧水:该界面活性剂约等于80:2.2:1.4。13.如申请专利范围第11项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第一化学溶液之时间约为8至12分钟。14.如申请专利范围第11项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第二化学溶液之组成比一去离子水:氟化氢:氯化氢约等于600:1:2.5。15.如申请专利范围第11项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第二化学溶液之时间约为2至5分钟。16.一种应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,包括下列步骤:提供一基底,其上具有一介层洞与一沟渠之一介电层;使用一第一化学溶液清洗该铜金属层、该介层洞与该沟渠之表面,该第一化学溶液的成分包括去离子水、氟化氯与氯化氯;以及使用一第二化学溶液清洗该铜金属层、该介层洞与该沟渠之表面,该第二化学溶液的成分包括去离子水、双氧水与一界面活性剂。17.如申请专利范围第16项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第一化学溶液之组成比一去离子水:氟化氢:氯化氢约等于600:1:2.5。18.如申请专利范围第16项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第一化学溶液之时间约为2至5分钟。19.如申请专利范围第16项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中该第二化学溶液之组成比一去离子水:双氧水:该界面活性剂约等于80:2.2:1.4。20.如申请专利范围第16项所述之应用在双重铜金属镶嵌制程中的清洁制程,其中使用该第二化学溶液之时间约为8至12分钟。图式简单说明:第一图系绘示双重铜金属镶嵌的剖面图第二图A系绘示尚未进行清洁步骤之沟渠影像;第二图B系绘示依序进行第一化学溶液与第二化学溶液清洗之后的沟渠影像;第二图C系绘示尚未进行清洁步骤之介层窗影像;以及第二图D系绘示依序进行第一化学溶液与第二化学溶液清洗之后的介层窗影像。 |
